近年來，偽造品對產品的安全性與長期可靠性構成了威脅。藉由本公司的安全技術，可有效因應因偽造品所帶來的各種問題與挑戰。

高安全性的無加密認證IC

一般的認證IC是由加密電路構成的，但隨著近年技術的持續進步，對加密電路的攻擊變得更加複雜，導致越來越多安全性無法獲得保障的問題。
而本公司開發的無加密認證IC，並不會在記憶體中保存金鑰資訊，因而能夠提供更高等級的安全性。

無加密認證IC的特點

不存在被竊取的金鑰資訊

傳統的認證IC會從非揮發性記憶體中取得金鑰資訊，並將該金鑰資訊用於加密電路進行認證。
此方法存在透過複製IC晶片內部電路資訊（即所謂的「死複製」）而造成安全性受損的風險。
此外，非揮發性記憶體中的金鑰資訊，隨著技術發展，也逐漸變得容易被取得。

本認證IC採用與傳統方法不同的設計，利用微弱的類比訊號來提升安全強度。

以類比訊號作為期望值的方法

一般來說，若要處理微弱的類比訊號，通常需要多顆IC晶片，且需考量電路板的配線設計。
然而，我們的IC能夠在單一晶片上整合所有認證所需的類比感測功能，從而簡化電路板的配線結構。

抗雜訊的方法

由於微弱且具特徵性的類比訊號容易受到裝置雜訊等外部因素的影響，因此降低類比感測電路的雜訊是不可或缺的。
此外，作為進一步對策，我們採用頻率分析的方法，去除不必要的雜訊成分，只提取所需的頻率範圍，藉此減少因雜訊而產生誤動作的可能性。

投稿 無需加密程序的認證IC は RAMXEED に最初に表示されました。

售票機需要頻繁記錄每日交易，同時在緊急狀況下也必須能夠快速復原。
FeRAM具備極高的重寫次數，即使在斷電時仍能保存資料，有助於系統的快速恢復，因此被廣泛應用於售票機中。

售票機對記憶體的要求

應用於交通、娛樂等多種場域的售票機，每天都被眾多使用者操作，交易頻繁。
這些交易資料包括出票記錄、紙鈔與硬幣的支付記錄等，皆為與金錢往來相關的重要資訊。
因此，資料記錄必須具備極高的可靠性，並且能在系統意外停機或停電等緊急狀況下迅速應對。
此時，FeRAM（鐵電記憶體）的優異特性便能充分發揮。

FeRAM在售票機中的應用優勢

1. 緊急狀況下的高速資料保護

FeRAM具備極快的寫入速度，即使在系統電壓驟降等突發異常狀況下，也能在完全失去電力之前保存資料，有助於系統的快速恢復。

2. 緊急狀況下的資料保持能力

FeRAM的資料保持不需要電源，即使斷電資料也不會遺失。結合上述高速寫入特性，可在系統當機後實現迅速復原。

3. 應對高頻交易資料記錄的高重寫耐久性

FeRAM具備極高的重寫次數，最多可達100兆次（10¹⁴次）寫入。
此特性非常適合每日被大量顧客使用、需要頻繁記錄資料的售票機應用。

這些FeRAM的特性不僅適用於售票機，也同樣可應用於ATM、自動販賣機等與金錢交易相關的裝置。

結論

在售票機中，FeRAM憑藉其高速寫入、優異的資料保持能力與高重寫耐久性，
能在系統故障後實現快速復原，協助保護使用者的重要交易資料。

推薦產品

• MS85R4M2TA: 4Mbit Parallel I/F 1.8~3.6V, 120ns, TSOP44
• MB85RS2MTY: 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V, 50MHz, SOP8
• MB85R1002A: 1Mbit Parallel I/F 3.0~3.6V, 150ns, TSOP48

投稿 FeRAM在售票機中的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

無線供電感測IC不需電池與配線，不僅降低了環境負擔，也減少了維護工序。採用FeRAM可在供電不穩定的情況下降低資料遺失的風險，減少外部設備電源波動的影響，實現穩定的運作。

什麼是無線供電感測IC

感測IC是一種可處理來自各類感測器（如溫度、濕度、壓力、加速度等）之資料，並將資料傳送至主機設備的整合電路。作為IoT感測節點，它被廣泛應用於智慧家庭、智慧建築、穿戴式裝置、醫療、工廠產線管理、汽車、農業、物流等多個領域。近年來，因環保節能與維護便利性的需求增加，無需電池的無線供電感測IC需求也日益提升。

無線供電感測IC的特點是無需配置電池，能利用無線讀寫器發出的電波或環境發電所產生的微弱電力快速啟動電源，為感測器供電並在取得感測資料後進行無線傳輸。這種設計不僅免除電池與配線，亦兼具節能與低成本的優點。

採用FeRAM的優勢

在無線供電或環境發電的應用中，供電不穩可能導致感測資料遺失。我們的FeRAM由於寫入時所需功耗低於EEPROM與Flash記憶體，因此可將取得的感測資料經由ADC進行數位轉換後寫入FeRAM中。當通訊環境穩定時，可透過無線方式一次性讀取已儲存的資料。

此外，外部設備的負載波動可能造成IC電源電壓下降，進而影響其正常運作。為了降低電源波動的影響，我們採用了不易受電源波動影響的電源控制電路，以及單位面積電容量較大的晶片內鐵電電容，以確保穩定供電並避免對IC運作造成影響。

類比前端（AFE）支援靜電容量型、阻抗型、電壓型與電流型等多種感測器介面。

應用領域

可應用於建築維護、電線桿與道路照明的保養、製造工廠的流程管理、藥品溫度管理、酒精測試儀、血糖感測器、TPMS（胎壓監測系統）等領域。

共同研究

Ambient IoT Communication Research Consortium

相關產品

• MB97R8110

投稿 FeRAM在無線供電感測IC中的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

PLC（可程式邏輯控制器）的作用

在汽車與電子設備的生產線、半導體製造及金屬加工的工廠設備、電梯控制系統中，PLC（可程式邏輯控制器）實現了自動化與設備運作的高階控制。

PLC是一種時序控制裝置，透過I/O模組整合處理來自輸入設備的訊號並控制輸出。由於被廣泛應用於生產線等場域，因此對可靠性、易維護性及使用壽命皆有嚴格要求。此外，即使發生意外斷電，也必須確保能穩定控制並安全重新啟動設備，這正是FeRAM（鐵電記憶體）優異特性得以發揮之處。

FeRAM的特點與優勢

FeRAM是一種具備高速寫入與高重寫耐性的記憶體技術。因此，在PLC（可程式邏輯控制器）中，FeRAM能發揮以下優勢：

高速資料記錄：
FeRAM具備高速寫入與高重寫耐性的記憶技術。在PLC中，FeRAM可在系統電壓驟降等突發狀況下，於完全喪失電壓之前快速記錄控制參數、I/O狀態、運轉／停止模式等資訊。如此一來，可在重新啟動時快速恢復系統運作，縮短停機時間、提升生產設備稼動率，並可追溯問題根源，方便PLC及其連接設備的維護。

高重寫耐性：
PLC會持續記錄控制參數、I/O狀態及運轉／停止模式等資訊，以掌握突發電壓驟降前的事件。FeRAM具備極高的重寫耐性，能長期進行反覆寫入，確保系統在整個生命週期內穩定運作。

資料保持性：
即使在斷電狀態下，FeRAM的資料也不會遺失，恢復供電後即可安全重啟。
PLC有時需在高溫環境下運作，FeRAM可在125℃下正常運行，並能在105℃的環境中保存資料超過10年以上，即使在嚴苛環境下也能可靠保存關鍵資料。

具體採用案例

作為一家全球領先的公司，該公司在其多種產品中採用了FeRAM。客戶是一家提供PLC、運動控制器、伺服電機、HMI等工廠自動化產品的領先企業，其PLC等大多數產品採用了FeRAM。

客戶的PLC預計將在極端環境中使用，終端用戶尤其要求PLC在電源不穩定的環境下也能可靠運行。當電源電壓下降時，需要在數十毫秒的短時間內保存大約128KB的運行模式、運行狀態等數據，並在電源恢復後無縫重啟PLC。因此，我們對各種非易失性存儲器進行了評估。

傳統的非易失性存儲器，如EEPROM與FLASH存儲器，寫入速度較慢，無法滿足客戶的需求。

因此，我們決定採用高速非易失性存儲器，而FeRAM以其出色的市場表現和性能脫穎而出，並最終被採用。

透過嵌入FeRAM的產品，客戶的最終用戶數量得以擴大，市場口碑和業績得到提升。

結論

在PLC中，FeRAM憑藉高速寫入、高重寫耐性與優異的資料保持性，實現了高可靠性、易維護性及長期使用壽命。

推薦產品

• MS85R4M2TA : 4Mbit Parallel I/F 1.8V～3.6V -40～85℃ TSOP44
• MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8V～3.6V 50MHz -40～125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~85℃ SOP8/DFN8
• MB85RS1MT : 1Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8/DFN8
• MB85RS512TY : 512Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS256B : 256Kbit SPI I/F 2.7~3.6V 33MHz -40~85℃ SOP8

投稿 PLC（可程式邏輯控制器）中FeRAM的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

光伏逆變器對可靠性、易維護性及系統使用壽命的要求極高。全球領先的光伏逆變器製造商透過導入FeRAM（鐵電記憶體）實現高可靠性與易維護性，並獲得市場的廣泛認可。

光伏逆變器中FeRAM的應用

隨著全球減碳與再生能源推動政策的進展，太陽能發電的重要性日益提升。光伏逆變器（又稱功率調節器）能將太陽能板產生的直流電轉換為符合電網輸入條件的交流電壓與電流波形，並併入電網系統。由於需連接至電網基礎設施，光伏逆變器對可靠性、易維護性及長期穩定運作有嚴格要求，而FeRAM（鐵電記憶體）的優異特性正可發揮關鍵作用。

FeRAM的特性與優勢

FeRAM是一種具備高速寫入與高重寫耐性的記憶體技術。因此，在光伏逆變器中，FeRAM能發揮以下優勢：

高速資料記錄：
光伏逆變器需應對電壓驟降等突發異常狀況。FeRAM可在系統完全喪失電壓之前，以毫秒等級速度記錄電流、電壓及系統狀態等資訊。
如此可使系統在異常發生後快速復原，縮短停機時間、提升發電量，同時也能追蹤問題根源，提升設備維護效率。

高重寫耐性：
光伏逆變器在運作過程中必須持續記錄電流、電壓及運行狀態，以追蹤電壓驟降前的事件。FeRAM具備極高的重寫耐性，可長期進行頻繁寫入，確保系統在整個生命週期內穩定運行。

資料保持性：
即使在斷電狀態下，FeRAM中的資料也不會遺失；恢復供電後即可安全重啟系統。這使光伏逆變器在惡劣環境中仍能維持高可靠性。

應用實例詳情

客戶為一家在全球推廣再生能源設備的領導企業，產品涵蓋光伏逆變器、儲能系統與風力發電設備。該公司在其生產的光伏逆變器中導入了FeRAM。

客戶的終端用戶要求每秒記錄電流和電壓數據，以確保故障時可準確分析原因。作為存儲日志的記憶體，EEPROM、閃存等傳統的非易失性記憶體無法在客戶產品的長時間運行期間持續工作。採用具有高速寫入和高重寫耐性且市場認可度高的FeRAM後，客戶成功開發了能夠在產品長時間運行期間穩定存儲日志數據的產品，從而滿足了終端用戶的需求。

此舉亦使產品在市場上的評價與出貨量明顯提升。

總結

在光伏逆變器中，FeRAM憑藉其高速寫入、高重寫耐性、出色的數據保持性實現了高可靠性、易維護性和長期使用壽命。

推薦產品

• MB85RS2MTA : 2Mbit SPI I/F 1.7~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8
• MB85RS1MT : 1Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8/DFN8
• MB85RS512TY : 512Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS256B : 256Kbit SPI I/F 2.7~3.6V 33MHz -40~85℃ SOP8

投稿 光伏逆變器中FeRAM的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

對小型化與高性能記憶體有需求的助聽器

在以EEPROM為主流的助聽器領域中，由於晶片尺寸受到嚴格限制，無法兼顧小型化設計與高功能化。隨著助聽器功能不斷提升，對記憶容量的要求也已超越EEPROM的上限。

協力公司：株式会社TechanaLye

我司的ReRAM成功滿足這些嚴苛條件，已被包括全球市佔率前兩大助聽器製造商在內的多家企業採用，累計出貨量超過 2,500萬顆。作為能在與EEPROM相同晶片尺寸下提供更大容量（8Mbit以上）與更高性能的非揮發性記憶體，目前幾乎沒有其他替代技術可匹敵。

在部分應用中，雖也可使用大容量的 NOR Flash記憶體，但其缺點包括功耗高與資料寫入單位為區塊（Sector），導致軟體設計更為複雜。對原本使用EEPROM的客戶而言，導入NOR Flash的難度相對較高。

因此，我司的ReRAM由於完全相容EEPROM規格，可在無需修改設計的情況下直接替換，大幅降低客戶導入時的設計負擔。也因此，ReRAM成為助聽器記憶體領域中最具競爭力的選擇。

我司ReRAM與其他記憶體的比較定位

我司目前量產的ReRAM產品包括8Mbit與12Mbit規格，完整覆蓋EEPROM最高僅有4Mbit的容量區間，能充分滿足助聽器對更大容量與更高可靠性的需求。

高精度音訊補償與電池續航力提升

將助聽器內部的非揮發性記憶體由EEPROM更換為ReRAM後，可使可用記憶容量提升至原先的 2至4倍，從而實現更高精度的音訊補償。此外，由於ReRAM的讀取電流低於EEPROM，能有效降低耗電量，進而延長電池壽命，對助聽器長時間佩戴使用的體驗有顯著改善。

推薦產品

• 12Mbit ReRAM (MB85AS12MT)
• 8Mbit ReRAM (MB85AS8MT)

投稿 ReRAM在助聽器的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

在半導體、電氣設備、成型機等製造產線上，溫度調節器（溫控器）是關鍵元件。它透過精密的溫度控制，提高產品的良率、可靠性與生產效率。在溫度調節器（溫控器）中，FeRAM（鐵電體記憶體）的優異特性也得以發揮。

溫度調節器（溫控器）的作用

溫控器會將感測器取得的當前溫度與目標溫度進行比較，根據其差異進行計算與調整，是成型機等溫度控制流程中不可或缺的裝置。

溫控器的控制目標是使目前值與目標值一致，因此需要盡快達到設定溫度。此外，當設備發生故障時，為了在復原後能正確處理設備，必須即時記錄爐內等位置的溫度變化情況。

溫控器中FeRAM的應用案例

部分客戶的溫控器在導入FeRAM時，是因原先採用的EEPROM性能不足而導致故障。在重寫耐久性方面，FeRAM 與SRAM均能滿足要求，但FeRAM的優勢在於即使系統因故障而失去電壓，也能在無需電池的情況下進行備份。因此，最終決定採用FeRAM。

從意外故障中快速復原

在溫控器中，FeRAM可於系統完全失去電壓之前，迅速記錄由溫度感測器取得的溫度資料，有助於系統復原後快速重新啟動生產。

毫秒級日誌資料記錄能力與高重寫耐久性

在成型機等設備中，原料投入後需要透過高精度的溫度控制進行各種作業。這些溫度變化資訊必須以毫秒為單位記錄於記憶體中作為日誌資料。非揮發性記憶體不僅需具備高速寫入能力，亦需具備優異的重寫耐久性。採用最新技術製造的FeRAM，目前可確保高達100 兆次（10¹⁴）的寫入耐久性。

透過導入FeRAM，不僅提升產品精度與壽等可靠性，同時減少電池或電容器等周邊電路需求，使電路設計更為簡潔，有助於降低客戶開發成本。

結論

在溫控器應用中，FeRAM憑藉其高速寫入與高重寫耐久性，不僅能輕鬆因應突發電壓下降或斷電等問題，亦能即時取得高精度資料，在製造過程中發揮重要作用。

推薦產品

• MS85R4M2TA : 4Mbit Parallel I/F 1.8V～3.6V -40～85℃ TSOP44
• MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8V～3.6V 50MHz -40～125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS1MT : 1Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8/DFN8
• MB85RS512TY : 512Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS256B : 256Kbit SPI I/F 2.7~3.6V 33MHz -40~85℃ SOP8

投稿 測量儀器（溫控器）中FeRAM的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

在安全氣囊電子控制單元（ECU）內的事件資料記錄器（EDR）中，FeRAM也被廣泛應用。透過使用FeRAM，可滿足EDR的技術規範，確保在事故發生時，能即時記錄並保存詳細資料，有助於釐清事故原因。

關於EDR

事件資料記錄器（EDR）是一種車載事故記錄裝置，內建於汽車的電子控制單元（ECU）中。其功能是在事故發生前後的時間段內記錄車輛速度等相關數據。如下圖所示，EDR會在事故發生前約5秒至安全氣囊完全展開之間，以時間序列方式將車速等資訊記錄於非揮發性記憶體中。

FeRAM 的特徵與優勢:

事故原因分析所需的詳細資料記錄

事件資料記錄器（EDR）需要在突發狀況的前後高速寫入資料。理想情況下，應在攝影機或感測器偵測到事故前5秒開始寫入，並在事故導致電力喪失前完成寫入並啟用資料保護狀態。為了達成此要求，FeRAM 是最理想的選擇。它能持續進行資料寫入，並在斷電前的極短時間內完成資料保存。此外，EDR 的資料寫入不僅需考量寫入時間，也需符合建議的資料採樣數量（最高達100樣本／秒）。使用 FeRAM 可準確記錄事故前後的資訊，協助事後調查與原因分析。

若僅以每秒取樣一次的EDR進行記錄，不僅車速變化僅能精確至秒，亦無法掌握剎車操作的準確時點。

EDR所記錄的資料包含速度變化、車速顯示、油門踏板位置、煞車開關狀態等。透過事故後回收並分析這些資料，可清楚掌握事故發生前駕駛者的操作情況、乘客狀態以及車輛整體反應。

下圖為以100樣本／秒 記錄車速，並以10樣本／秒 記錄其他項目的數據示意。以10毫秒為單位記錄車速，可更清楚地分析車輛行為，同時可更精確掌握煞車操作情況，從而準確評估駕駛人在事故發生時的閃避行為。

以下摘錄自日本國土交通省的J-EDR技術要求。文件中明確指出需使用非揮發性記憶體，並對資料採樣率與防止資料竄改提出具體規範。FeRAM可同時滿足這兩項要求。

4.1.3 當發生下列任一情況時，J-EDR（事件資料記錄器）應捕捉並記錄資料項目：（1）若發生兩次以上氣囊展開事故，必須記錄新的事故資料，　且既有事故資料不得被覆寫。（2）若發生兩次以上超過啟動閾值（150毫秒內車速變化達8公里／小時以上）　但氣囊未展開之事故，亦須記錄新資料並遵循以下規定：（i）若非揮發性記憶體仍有空間，則記錄新的未展開氣囊事故資料。（ii）若記憶體已滿，製造商可自行判斷是否覆寫舊資料。（iii）記錄氣囊展開事故資料的記憶體不得被未展開事故資料覆寫。
4.2 資料防竄改： 非揮發性記憶體中記錄的資料不得遺失或被修改。

斷電前最後一刻的資料仍可利用

FeRAM具有極高的寫入耐久性，非常適合作為資料緩衝區。當MCU運行時，事件資料會持續寫入FeRAM。由於FeRAM為非揮發性，即使電源中斷，資料仍可完整保存。因此，即使在電源損壞的情況下，也不會遺失最新資料。透過直接將資料寫入FeRAM，可省去從SRAM轉存至EEPROM或Flash的步驟，無需額外電力即可保存最後時刻的資料。

以下為1Mbit SPI的示例。
與常見的EEPROM與NOR Flash相比：

• FeRAM的循環時間為120ns，
• EEPROM為5ms，
• NOR Flash為0.4ms。

若假設從正常運作到電壓降至無法運作的過程為數毫秒，則EEPROM可能僅能記錄一次，NOR Flash僅能記錄數次，而FeRAM則可完成數千次記錄。此外，當電壓降至最低工作電壓以下時，FeRAM會暫停記錄以避免寫入錯誤。然而，由於其高速特性，仍能保存事故前夕的關鍵資料。相對而言，EEPROM與NOR Flash在此期間的記錄間隔較大，且在低電壓狀態仍強制寫入，可能導致部分資料損毀。

補充說明：NOR Flash在以1頁（256 Byte）為單位進行連續寫入時，每個最小區塊（4K Byte）須耗時約 30ms進行擦除後方可寫入。

符合J-EDR規格的高性能非揮發性記憶體

日本國土交通省正推動符合J-EDR規格的EDR系統，其中「非揮發性記憶體」被列為技術要求中的關鍵項目之一。其要求為：「能電磁記錄並保存車載裝置傳輸的動態與時間序列資料，且在資料保存過程中不依賴電源。」與EEPROM、Flash等非揮發性記憶體相比，FeRAM具備更高的寫入速度與耐久性，即使在斷電情況下仍可保持資料，因此極為適合應用於EDR。

EDR儲存必要採集資料所需的容量

多數EDR標準對基本資料採集項目有明確規範，包括：前後方向速度變化、車速顯示、油門踏板位置、煞車踏板位置、引擎啟動次數、安全帶狀態、警示燈狀態等。對於車速資料，建議採樣率為100樣本／秒，其他項目為2樣本／秒。容量介於64Kbit～4Mbit 的 FeRAM即可滿足此資料記錄需求。

根據J-EDR技術要求（第3頁），各資料項目採樣率如下：

• 前後方向速度變化：100樣本／秒
• 車速顯示：2樣本／秒
• 油門踏板位置：2樣本／秒
• 煞車開關狀態：2樣本／秒

若每個資料樣本約為1Byte，記錄事故前5秒的資料，所需容量為：
500 + 10 + 10 + 10 = 530 Byte（約 4240 bit）。

記錄項目包括：

• 前進方向速度的最大變化量
• 發生最大變化的時間
• 點火循環（碰撞／下載）
• 安全帶狀態（已繫／未繫）
• 所有氣囊警示燈狀態（亮／滅）
• 氣囊展開所需時間

推薦FeRAM型號（符合 AEC-Q100 標準）

• MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ DFN8
• MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS256TY : 256Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~125℃ SOP8
• MB85RS128TY : 128Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~125℃ SOP8
• MB85RS64VY : 64Kbit SPI I/F 2.7~5.5V 33MHz -40~125℃ SOP8

投稿 車載EDR中FeRAM的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

在電動車（EV）電池的電池管理系統（BMS）中，FeRAM也被廣泛應用。具備高重寫耐久性的FeRAM不僅能延長電池使用壽命，亦可記錄並保存評估電池再利用所需的關鍵資料。

什麼是 BMS

電動車所使用的電池由多個電池單元組成，而每個單元的性能與壽命並不一致。若部分單元較早老化，將影響整體電池的效能，導致需提前更換整組電池。透過電池管理系統（BMS），可從各電池單元的監控模組中蒐集溫度、電壓、電流等資料，並指示各單元進行充放電平衡。藉此，性能較弱的單元會被頻繁充電、性能較強的單元則會多次放電，以維持整體性能並延長壽命。這些高頻監控資料會儲存在記憶體中。採用能在125℃環境下運作、具備10兆億次（10¹⁴ 次） 寫入耐久性的FeRAM，可使電池性能發揮至最大化。如下圖所示，電動車電池不僅供應動力馬達，也為空調與加熱系統供電。將資料寫入ECU與BMS模組內的FeRAM，可即時監控電池的使用狀況。

導入FeRAM的優勢

FeRAM已被多家全球領先的電動車電池製造商採用。在BMS中導入FeRAM具備以下優勢。

提升電池性能

隨著汽車製造商對電池壽命標示要求提升，如何增進電池性能成為重要課題。FeRAM具備高速寫入特性，可在用電量變化時以高頻率記錄電池使用狀況，於事件發生時能精確保存電池資訊。

BMS的主要功能如下：

1. 防止電池單元過充、過放電
2. 防止過電流
3. 管理電池溫度
4. 計算剩餘電量（SOC）
5. 執行電池電壓平衡（Cell Balancing）

*資料來源：Panasonic及多家工業用鋰離子電池製造商公開資訊

所謂「單電池（Unit Cell）」是指電池中最小的構成單位。隨著使用時間推進，各單元老化速度不同，因此必須進行均衡調整以延長整體壽命。例如，電池溫度過高可能導致加速劣化，甚至引發火災風險。透過 FeRAM的高速、高頻率寫入，可精準監控溫度變化，並藉由調整各單元充電量，使電池維持在安全健康狀態。

為了評估電池再利用而進行常時記錄

目前，電動車電池不僅追求壽命延長，更以「再利用」降低環境負荷。因此，相關的法規與技術開發正快速推進。特別是在歐洲，已開始利用 BMS 所記錄的資料評估電池再利用性，此趨勢對歐洲及其他地區的汽車製造商產生深遠影響。導入具備10兆億次寫入耐久性的FeRAM，可實現電池使用期間的長期持續記錄。

電池再利用的全球趨勢

歐洲

歐盟預計自2025年起實施「電池護照（Battery Passport）」新規，強制要求記錄電池運作日誌。該制度不僅用於評估電池的維修與再利用性，也納入駕駛者環保意識、行駛資料的透明度與可信度評估。「電池護照」是「數位產品護照（Digital Product Passport）」計畫的一環，未來將如同護照般記錄產品識別資訊，促進供應鏈資料共享與環保循環再利用。

中國

根據中國國家標準化管理委員會（SAC）的規定，必須每150毫秒記錄一次資料，因此多家中國電動車與電池製造商已採用FeRAM。隨著國家政策推動電動車普及，電池管理系統（BMS）的導入也將加速普及。此外，多家汽車製造商亦正與歐洲進行資料共享聯動。

美國

雖然美國尚未制定如歐洲與中國般的標準化規範，但大型電動車製造商已開始透過BMS推動電池再利用，回收產業規模亦持續擴大。多家美國回收企業正與歐洲及日本汽車製造商合作，積極進入快速成長的二次電池市場。

日本

日本經濟產業省於2024年公布的「行動出行DX策略」中，特別關注歐洲的電池法規動向，並強調日本也需建立具追溯性的管理系統，與歐洲的數據平台進行連結。

結論

在電池管理系統（BMS）中，FeRAM以其高速寫入與高重寫耐久性，實現了高精度資料擷取與頻繁記錄，不僅延長電池使用壽命，亦能持續蒐集再利用所需的使用資料。隨著全球電動車普及，二次電池市場規模不斷擴大，越來越多國家與地區重視BMS的開發與法規制定。FeRAM成為能應對這些最新趨勢的最佳解決方案。

推薦FeRAM型號（符合 AEC-Q100 標準）

• MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ DFN8
• MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8
• MB85RS256TY : 256Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~125℃ SOP8
• MB85RS128TY : 128Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~125℃ SOP8
• MB85RS64VY : 64Kbit SPI I/F 2.7~5.5V 33MHz -40~125℃ SOP8

投稿 BMS中FeRAM的應用案例 は RAMXEED に最初に表示されました。

在日常生活中，IC卡被廣泛應用於身分證、定期票、電子貨幣、信用卡等多種用途。本公司已開發並提供 IC卡專用客製化晶片超過20年，累積出貨量超過2億顆。以下將介紹FeRAM在IC卡中的特性與優勢。

FeRAM的特點與優勢

IC卡的內部可視為一台微型電腦，包含CPU、安全加密模組、記憶體、儲存裝置、無線通訊等硬體，
以及作業系統與應用程式等軟體。FeRAM在其中擔任記憶體與儲存的角色，具備以下三大優勢：

高速資料更新，讓使用者不需等待

憑藉FeRAM的高速寫入特性，IC卡內的餘額資料、使用記錄、加密金鑰、軟體內容等都能瞬間更新，讓使用者不會感到延遲。此外，雖然使用者無法察覺，但從系統設計的角度來看，FeRAM可在斷電時仍確保資料安全，因此軟硬體開發時無需額外考慮電源中斷保護，大幅簡化了設計。

穩定的通訊距離

FeRAM具備「讀寫電流相同且低功耗」的特性，在無線通訊時，無論是啟動階段頻繁讀取，或是在更新資料時頻繁寫入，都能在相同的通訊距離下穩定運作。這可避免出現「能啟動但無法更新」的錯誤狀況，實現穩定且高可靠度的資料交換。

無需寫入次數保護

IC卡內部資料經常需要更新。若採用EEPROM，必須記錄寫入次數以防超出耐久上限，並需重新分配使用區域。而FeRAM具備極高的重寫耐久性，不僅免除這些保護機制，也減輕軟體開發的負擔。同時，由於無需預留保護空間，可最大化利用記憶體容量。

目前，FeRAM已被廣泛應用於大型電子貨幣IC卡供應商、以及大型電器製造商的員工識別證等多個領域。由於EEPROM的寫入速度與耐久次數成為IC卡性能瓶頸，許多企業已轉用FeRAM。實際導入後，處理速度大幅提升，部分案例中甚至提高超過兩倍。

結論

在日常使用的IC卡中，FeRAM憑藉其高速寫入與低功耗通訊技術，為使用者提供流暢的操作體驗。此外，其高耐寫特性有助於降低作業系統與軟體開發的負擔。這些優勢不僅適用於IC卡領域，也可延伸至其他各類無線應用中。

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