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記憶體產品型錄（繁體中文版）

okiweb — Sun, 22 Sep 2024 00:12:14 +0000

RAMXEED 表示以存储器“RAM”技术为基轴，
追求无限可能性，在共创中不断成长的公司。
“XEED”蕴含着成功的 SUCCEED、超越现在的 EXCEED 的含义，
并且“X”还表示无限的可能性和共创。
即使更改了公司名称，我们也仍将继续注重以高可靠性和独特性而深受客户
好评的提案能力。

PURPOSE
先进存储技术，铸就梦想未来
我们将公司名称从富士通半导体存储器解决方案株式会社
更改为了 RAMXEED 株式会社。
新公司名称中蕴含了我们希望继续成为非易失性 RAM 专业集团的心愿，
其中也包括我们为客户提供了 20 多年极富价值的 FeRAM。

高性能，高可靠性存储
RAMXEED 目前提供 FeRAM（铁电随机存取存储器）和 ReRAM（电阻式随机存取存储器）的产品系列。两者都是非易失性存储器，但二者都有不
同的功能，适用于不同的应用场景。
FeRAM 的最大优势是可以保证大量数据的读写周期。
由于它可以重写高达 100 万亿次的数据，因此我们的 FeRAM 适用于频繁重写数据的用途。例如，FeRAM 存储器已被采用为记录仪表，测量仪器，
工业机器人和汽车信息的常用存储器。
另一方面，ReRAM 的优势在接近于无限次的数据读出次数和极小的读出电流。
它适用于首先记录操作所需的基本信息和程序，并在期间频繁读出该数据的用途。此外，通过使用 ReRAM 存储器来延长系统的电池供电的小型
设备的电池寿命。例如，它是助听器和智能手表等小型可穿戴设备的理想存储选择。
通过这些方式，RAMXEED 继续开发能充分发挥终端产品功能的存储产品，满足社会的需求。

FeRAM 发货历史

非易失性存储器的位置

存储密度
大

数据重写较少的应用
（示例：读出参数）

NAND
Flash

数据重写频繁的应用
（示例：实时记录数据）

NOR
Flash

量产产品供货期

ReRAM
FeRAM

EEPROM

年

小
低

出货产品总数

应用种类

亿片

200
种类

产品的出货国家

个国家

高

读写耐久性

为了健康的生活，
我们能做什么

对于地球环境，我们能做些什么
通过开发更低功耗的存储元器件产品，RAMXEED 积极致力于减少导致温室效应气体之
一的二氧化碳排放。

RAMXEED 的存储元器件产品帮助世界各地

通过这种方式，我们通过提供环保的半导体器件和解决方案，为实现联合国通过的 17 个

的人们拥有更健康的生活。

可持续发展目标（SDG：Sustainable Development Goals）中的三个做出贡献。

助听器用于听力障碍的人。
此外，对于睡眠困难的人，持续气道正压通

目标

我们的行动

效果

我们的产品

优质教育

免费提供产品
给大学和公共设施

科技教育
事业贡献

非易失性存储器 :
FeRAM, RFID

经济适用的
清洁能源

提供降低功耗的
内存产品

减少
CO2 排放量

非易失性存储器 :
FeRAM, ReRAM

负责任的
消费和生产

提供不使用电池的
解决方案

减少废弃
电池

无源（无电池）
解决方案

气（CPAP）装置正在帮助他们入睡。
RAMXEED 的存储元器件产品也广泛应用于
支持上述这些健康生活的产品和设备。

为了社会，我们能做什么
通过提供紧凑，高性能的存储元器件产品，
RAMXEED 正在实现社会基础设施和设备的小

公共

型化和高性能化。此外，我们还通过用于面向

网络设备

普通消费者的 IC 卡和可穿戴设备等产品来帮助

5G 基站 , 路由器 ,
RAID 控制器

智能仪表
电力仪表 , 燃气表 ,
水表 , 流量计

丰富个人的生活。

产业基础设施

ATM, 售票机 , 电梯 ,
太阳发电系统

医疗设备

汽车电子

工业控制

CT 扫描仪 , 医疗监护仪

VTDR, ADAS,
TPMS, BMS

机器人 , CNC, 电机 ,
PLC

消费类

企业
消费类

企业类

IC 卡 , 智能手表 ,
助听器

无人机 , 打印机 , POS

个人

存储器产品目录 2024

FeRAM 产品

FeRAM 产品系列
RAMXEED 的 FeRAM 产品分为两个产品系列。一个是一般用途的 SOP 和 TSOP 封装形式的“单体 FeRAM 存储器”，另一个是“FeRAM 嵌入式 LSI
器件”，它是特定应用的 LSI，如 RFID LSI 和身份验证 LSI。
其中，单体存储器可用来替换现有的 EEPROM、Flash Memory、低耗电 SRAM，而 RFID LSI 不仅提供高速无线通信，而且还具有无线电力传输功能，
从而可以构建由 FeRAM 嵌入式 LSI 和读 / 写器设备组成的无电池无线解决方案。

FeRAM 产品系列
FeRAM（単元）

FeRAM 嵌入式 LSI

串行存储器

RFID LSI
验证 LSI

并行存储器

定制 LSI

FeRAM 结构原理
FeRAM 是一种使用铁电元素的存储器。其存储单元结构和存储数据的方法不同于其他传统的非易失性存储器器件，如 EEPROM 和 Flash。当然，
存储数据“1”和“0”的判断方法也不同。
EEPROM 是根据电荷的充电或放电的存储单元的状态来判断“1”或“0”数据。
而 FeRAM 是根据分子中原子运动引起的极化状态来判断的。关于 FeRAM 结构，我们使用 PZT（锆钛酸铅）作为铁电元素。PZT 的晶体结构如下
所示。
锆或钛正离子在晶格中占据两个稳定位置，可以通过施加外部电场在位置之间移动。即使去除电场，也可以存储上极化或下极化。这意味着“极化”
的状态被记住了。铁电存储器利用了这种非易失性的特性。

EEPROM

FeRAM

Pb( 铅 )

数据存储区
原子运动引起的
电极化

电子

Zr( 锆 )
或 Ti( 钛 )
O( 氧 )

数据存储区中电子的

原子在中心的位置形成

存在与否形成“1”或“0”

数据“1”或“0”

PZT 结晶结构

存储器产品目录 2024

FeRAM 产品

FeRAM 概述
FeRAM 产品的内存密度范围从 4Kbit 到 8Mbit。
接口具有串行接口（SPI，I2C）和并行接口。

内存容量

16Kbit to 8Mbit（SPI 接口）/
4Kbit to 1Mbit（I2C 接口）/
256Kbit to 8Mbit（并行接口）

输入电压

1.65 to 1.95V ／ 1.7 to 1.95V ／ 1.7 to 3.6V ／
1.8 to 3.6V ／ 2.7 to 3.6V ／ 2.7 to 5.5V ／ 3.0 to 5.5V

工作温度

-40 to +85°C ／ -40 to +95°C ／ -40 to +105°C ／ -40 to +125°C

1 万亿次 /10 万亿次 /100 万亿次

读写耐久性

*: 单个产品的规格请参考各产品的数据表。

8Mbit Quad SPI FeRAM

FeRAM 功能
FeRAM 具有“非易失性”，“高读写耐久性”，“高速写入”和“低功耗”四大优势。

4 大功能

非易失性

高读写
耐久性

⬛ 存储的数据不会在掉电时消失
⬛ 无需电池即可保留数据

⬛ 保证 100 万亿（10 ）次读 / 写周期
⬛ 是 EEPROM 1 亿倍的耐久性
14

高速写入

低功耗

⬛ 无需擦除操作即可覆盖数据
⬛ 无需发出读写命令
⬛ 无需等待擦除 / 书写操作
⬛ 无需写入操作的升压电路
⬛ 写入时间短，写入时功耗更低
⬛ 数据保持时无需电流

FeRAM 与其它传统存储器的比较
项目

FeRAM

EEPROM

FLASH Memory

SRAM

记忆类型

非易失性

易失性

数据写入方法

覆盖式写入

擦除 + 写入

覆盖式写入

数据写入周期时间

120ns

5ms

10 μ s

55ns

读写耐久性

100 万亿次

100 万次

10 万次

无限次

电荷泵电路

无需

需要

无需

数据保护后备电池

无需

需要

存储器产品目录 2024

FeRAM 产品

串口存储器阵容
SPI 接口 *1
内存容量
(bit)

512K

256K

128K

64K

16K

数据保持时间
（保证値）*3

等级 *2

输入电压
(V)

工作频率
(Hz)

MB85RQ8MX

工业用

2.7 to 3.6

108M

-40 to +105 100 万亿次

10 年（+105°C）

SOP-16

MB85RQ8MLX

工业用

1.7 to 1.95

108M

-40 to +105 100 万亿次

10 年（+105°C）

SOP-16

MB85RS4MTY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8*4

MB85RS4MLY

车载用 / 工业用 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8*4

封装类别

MB85RS4MT

工业用

1.8 to 3.6

40M

MB85RQ4ML

工业用

1.7 to 1.95

108M

MB85RS2MTY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RS2MLY

车载用 / 工业用 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

-40 to +85 100 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

-40 to +85

10 年（+85°C）

SOP-16

10 万亿次

MB85RS2MTA

工业用

1.7 to 3.6

40M

MS85RS1MTY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MS85RS1MLY

车载用 / 工业用 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

-40 to +85 100 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RS1MT

工业用

1.8 to 3.6

30M

MB85RS512TY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RS512LY

车载用 / 工业用 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

-40 to +85

10 万亿次

10 年（+85°C） SOP-8/DFN-8/WL-CSP-8*5

MB85RS512T

工业用

1.8 to 3.6

30M

MB85RS256TYA

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RS256LYA

车载用 / 工业用 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RS256TY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

40M

-40 to +125 10 万亿次

MB85RS256B

工业用

2.7 to 3.6

33M

MB85RS128TY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

40M

MB85RS128B

工业用

2.7 to 3.6

33M

MB85RS64VY

车载用 / 工业用

2.7 to 5.5

33M

MB85RS64V

工业用

3.0 to 5.5

20M

-40 to +85

MB85RS64T

工业用

1.8 to 3.6

10M

MB85RS64

工业用

2.7 to 3.6

MB85RS16N

工业用

MB85RD16LX

工业用

存储器产品目录 2024

-40 to +85

10 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

70.4 年（+85°C）

SOP-8

10 年（+85°C）

SOP-8

70.4 年（+85°C）

SOP-8

10 年（+85°C）

SOP-8

70.4 年（+85°C）

SOP-8

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

-40 to +85

10 万亿次

40.2 年（+85°C）

SOP-8*5/SON-8

20M

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

2.7 to 3.6

20M

-40 to +95

1 万亿次

10 年（+95°C）

SOP-8/SON-8

1.65 to 1.95

15M

*1: 详情请参考各产品的数据表。
*2:“车载用”等级的产品符合 AEC-Q 100 标准。
*3: 请参阅数据表了解更多 125°C 下的数据保留时间。
*4: SOP-8 为工业用等级。
*5: 我们还有 1.7V 工作产品。

工作温度
(°C)

读写耐久性
（读写次数）

产品型号

-40 to +85

1 万亿次

-40 to +125 10 万亿次
-40 to +85

1 万亿次

-40 to +125 10 万亿次

-40 to +125 10 万亿次 23.7 年（+105°C）

SON-8

FeRAM 产品

串口存储器阵容
I2C 接口 *1

512K

256K

128K

数据保持时间
（保证値）*3

等级 *2

输入电压
(V)

工作频率
(Hz)

MS85RC1MTY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MS85RC1MLY

车载用 / 工业用

1.7 to 1.95

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RC1MT

工业用

1.8 to 3.6

3.4M

MB85RC512TY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RC512LY

车载用 / 工业用

1.7 to 1.95

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RC512T

工业用

1.7 to 3.6

3.4M

MB85RC256TY

车载用 / 工业用

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RC256LY

车载用 / 工业用

1.7 to 1.95

3.4M

-40 to +125 100 万亿次 70.4 年（+85°C）

DFN-8/SOP-8

MB85RC256V

工业用

2.7 to 5.5

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC256VN

工业用

2.7 to 5.5

-40 to +95

1 万亿次

10 年（+95°C）

SOP-8

MB85RC128A

工业用

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC64TA

工业用

1.8 to 3.6

3.4M

MB85RC64A

工业用

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC64V

工业用

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC16

工业用

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8/SON-8

MB85RC16V

工业用

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC04

工业用

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

MB85RC04V

工业用

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 万亿次

10 年（+85°C）

SOP-8

工作温度
(°C)

读写耐久性
（读写次数）

(bit)

64K

16K

工作温度
(°C)

读写耐久性
（读写次数）

产品型号

内存容量

-40 to +85

10 万亿次

10 年（+85°C）

-40 to +105 10 万亿次 19.1 年（+105°C）

封装类别

SOP-8

SOP-8/SON-8

*1: 详情请参考各产品的数据表。
*2:“车载用”等级的产品符合 AEC-Q 100 标准。
*3: 请参阅数据表了解更多 125°C 下的数据保留时间。

并行接口 *1
内存容量

数据保持时间
（保证値）

产品型号

等级

输入电压
(V)

写入周期时间
(ns)

MB85R8M1TA

工业用

1.8 to 3.6

120

-40 to +85 100 万亿次 10 年（+85°C）

TSOP-44/FBGA-48

8M（512K×16） MB85R8M2TA

工业用

1.8 to 3.6

120

-40 to +85 100 万亿次 10 年（+85°C）

TSOP-44/FBGA-48

4M（512K×8） MS85R4M1TA

工业用

1.8 to 3.6

120

-40 to +105 100 万亿次 10 年（+105°C）

TSOP-44/FBGA-48

MS85R4M2TA

工业用

1.8 to 3.6

120

-40 to +105 100 万亿次 10 年（+105°C）

TSOP-44/FBGA-48

MB85R4M2T

工业用

1.8 to 3.6

150

-40 to +85 10 万亿次

256K（32K×8） MB85R256F

工业用

2.7 to 3.6

150

-40 to +85

(bit)

8M（1M×8）

4M（256K×16）

1 万亿次

封装类别

10 年（+85°C）

TSOP-44

10 年（+85°C）

TSOP-28

*1: 详情请参考各产品的数据表。

存储器产品目录 2024

ReRAM 产品

ReRAM 概述
ReRAM 产品的内存密度阵容为 8Mbit 和 12Mbit。接口是 SPI 接口。

内存容量

8Mbit, 12Mbit（SPI 接口）

输入电压

1.6 to 3.6V

工作温度

-40 to +85°C

读出耐久性

无限

写入耐久性

100 万次（8Mbit）, 50 万次（12Mbit）
11pin WL-CSP

封装类别

12Mbit ReRAM

* 单个产品的规格请参考各产品的数据表。

ReRAM 功能 , 结构原理
ReRAM 代表电阻式随机存取存储器，具有四个卓越的特性：非易失性，读出低电流，大密度和小型封装。特别是在 5MHz 的工作频率下，平均读
出电流小至 0.15mA，因此与其他非易失性存储器产品相比，它具有极小的读出电流水平。它可以延长那些使用电池最终产品的电池寿命。
RAMXEED 的 ReRAM 产品采用 2mm x 3mm 的极小封装，非常适合用于可穿戴设备。
电阻式随机存取存储器的 ReRAM 是一种非易失性存储器，通过改变电池材料中的电阻来存储数据。它通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压产生
的电阻的巨大变化来记录“1”或“0”的数据。

4 大功能
非易失性

⬛ 掉电时存储的数据不会消失
⬛ 无需电池即可保留数据

内存
密度大

⬛ 5MHz 工作时平均读取电流为 0.15mA
⬛ 10MHz 工作时最大读取电流为 0.7mA

读取电
流小
读取电流
(mA)

极小封装

8pin SOP

⬛ 11pin WL-CSP, 2mm x 3mm

11pin WL-CSP

状态 A: 大阻抗

3.0mA

3.0

最大 95%
削減

2.0

8.1
mm

8pin SOP
11pin
WL-CSP

0.15mA

EEPROM

状态 B: 小阻抗

安装面积
减少到 13%

1.0

⬛ 12Mbit 的大密度作为非易失性随机存取内存

ReRAM

存储单元中的电阻状态形成“1”或“0”

3mm

5.85mm

读取电流比较

2
mm

ReRAM 单元结构

安装面积比较

ReRAM 阵容
SPI 接口
产品型号

输入电压
(V)

工作频率
(Hz)

12M

MB85AS12MT

1.6 to 3.6

10M

MB85AS8MT

1.6 to 3.6

10M

内存容量
(bit)

存储器产品目录 2024

工作温度
(°C)

读取电流

读写耐久性
（读写次数）

写入耐久性
（写入次数）

封装类别

-40 to +85

Max0.7mA

无限

50 万次

WL-CSP-11

-40 to +85

Max0.7mA

无限

100 万次

WL-CSP-11

SOLUTION

客户问题及解决方案
非易失性存储器产品的 FeRAM 和 ReRAM 与传统存储器（如 Flash Memory，EEPROM 和低耗电 SRAM）相比具有优越的特性。
RAMXEED 的存储产品可以解决使用传统内存产品引起的以下问题。

通过 FeRAM 来解决 01

写入耐久性高，不需要磨损均衡软件
Controller(MCU)

■ 通过 FeRAM 来解决
· 因为简化了软件，

■ 传统存储器的课题

不会产生进行磨损
均衡时的缺点

· 软件的复杂化
· 结果导致验证工时增加
· 此外，软件缺陷流向市场的风险增加

· 在写入 10 年的情况下，
EEPROM 中出现了每小时 11 次、
每天 270 次左右的极限
· 有可能获取不到必要的数据
· 更高的频率则需要采取磨损均衡等
对策，会导致软件的复杂化

通过 FeRAM 来解决 03

1st – 4th wrire

FeRAM

· 也减少了开发工时

D1,D2
Address-2
Address-1

有望提高客户满意度

■ 传统存储器的课题

D3 D2 D1

Data Stream

· 减少市场上的软件缺陷，

通过 FeRAM 来解决 02

…….

通过高写入耐久性 / 高速写入，可以获取高频率的日志
■ 通过 FeRAM 来解决
· FeRAM 最多可实现 30 万次 / 秒

EEPROM

FeRAM

（每天 200 亿次以上）的写入
从而获取真正的数据

时间

: 日志主要得分

· 可以详细记录数据的变化，

通过获取高频度的日志来获取高精度的数据

通过高速写入，能确切记录停电和瞬断时的数据
发生异常的电压下降
电源停止

■ 传统存储器的课题

■ 通过 FeRAM 来解决

· 因为写入时间为 ms 量级，

· 因为写入时间为 120ns，

所以如果在写入操作或擦除
操作中电源停止，
写入的数据丢失的可能性很高

通过 FeRAM 来解决 04

所以可在电源失去之前完成数据写入
· 在电源突然停止时也能确切地获取日志

电源电压

FeRAM

EEPROM

· 写入耗电大，
影响电池的寿命

电源停止前完成
数据写入

电源停止前未完成
数据写入

写入时间
=5ms

写入耗能小，可降低电力消耗
■ 通过 FeRAM 来解决

■ 传统存储器的课题

写入时间
=120ns

· FeRAM 的写入耗能为

EEPROM 的100 分之1，Flash 的2 万分之1
· 在写入操作较多的用途中，可以大幅延长
电池的寿命
· 有助于降低环境负荷

BOM 成本比较

合计
BOM
成本

Super
Capacitor

EEPROM
chip
EEPROM

FeRAM
chip

合计
BOM
成本

FeRAM

存储器产品目录 2024

FeRAM 嵌入式 ASIC/ASSP

什么是 FeRAM 嵌入式 ASIC/ASSP
本公司设计和开发嵌入了非易失性存储器 FeRAM 的 ASIC（Application Specific Integrated Circuit：定制 LSI 产品）以及 ASSP（Application
Specific Standard Product）。FeRAM 可以嵌入 CMOS 工艺，实现与逻辑电路和模拟电路相组合的单芯片化。凭借 20 多年来在 FeRAM 嵌入式
LSI 设计开发过程中积累的经验，我们开发出了众多高可靠性、高性能的系统 LSI，如 RFID 用 LSI 和 IC 卡等。根据客户的要求，我们可以进行从规
格设计到制造的一站式 IC 开发。

您是否面临这样的课题？
CASE1

无法实现与竞争对手
的差异化，只能通过
价格来决胜负

CASE2

CASE3

由于存储器的写入次
数少，因此需要花费
工时来开发延长产品
寿命的软件

不能如愿延长
电池驱动时间

CASE4

由于需要组合各种各
样的芯片，因此容量
变大，成本也会增加

FeRAM 嵌入式 ASIC/ASSP
将有效解决客户的课题！

难以抵御数据丢失、
停电和冲击，
系统不稳定

超越传统存储器的性能
通过高速写入、低耗电、
环境负荷低等超越传统存储器的
多个特性，实现独立性高的 IC

产品的高耐久性

压倒性的低耗电

由于可多次写入，

在可穿戴设备等电池

因此无需耗费工时来开发软件，

驱动时间至关重要的设备中

以延长使用寿命

发挥威力

芯片的小型化

出色的稳定性

可利用单位面积的电容为

可避免，如使用 EEPROM 和 FLASH 中

MIM 和 MOS 容量 10 倍以上的

发生的那类数据丢失问题，构成也同时

铁电容量来减少面积

可抵御停电和冲击的高可靠性系统

认证 IC

旋转编码器

无线供电传感

希望保护产品免受假冒产品的影响，保障安全性和
可靠性

即使在工厂因停电而无法接入电源时，也想记录
电机的转数。

希望将传感器部分无线化并自由配置，也无需更
换电池

采用理由
由于 RAMXEED 专有的无密码认证没有值得盗取
的密钥信息，因此安全强度高，保护客户产品免
受假冒产品的威胁。提供客户可以长期放心使用
的 IC，减少客户的开发负担。

CASE5

存储器产品目录 2024

采用理由
由于写入耗电远远低于其他存储器，因此可以
与环保发电设备相组合进行模块开发。
可以将迄今为止由电池 +SRAM 构成的模块替换
为环保发电 +FeRAM 这样的免维护结构。

采用理由
无线供电传感 IC 不搭载电池，可以通过无线读
写器发出的电波或环保发电的微弱电力高速启动
电源，向传感器供电，获取传感器数据，并进行
无线传输。不需要电池和布线，既环保又经济。

VISION — 凭借独有技术，被选为共创未来的伙伴。

FeRAM 嵌入式 RFID
FeRAM 嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大，数据写入速度快。如果我们的 RFID LSI 用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史，则可以缩短
生产时间。
此外，一些 RFID 产品具有无线和 SPI 的双接口。该类产品可以通过 SPI 接口快速处理数据的记录，并且即使在断电期间，使用无线接口也可以读取
重要数据。
如上所述，通过将数据快速写入大量的标签中，可以缩短作业时间，并回避设备停电等恢复时的风险。

FeRAM 嵌入式 RFID 的产品阵容
产品型号
MB97R8110
MB97R8050

工作频率
UHF band
860 to 960MHz

用户内存容量
8Kbyte

接口

读写耐久性（读写次数）

SPI（Master/Slave）

10 万亿次

–

100 亿次

36byte(EPC 128bit)

ISO/IEC18000-63
EPC C1G2 Ver.1.2.0

8Kbyte

ISO/IEC15693

–

1 万亿次

2Kbyte

ISO/IEC15693

–

1 万亿次

256byte

ISO/IEC15693

–

1 万亿次

MB89R112A
MB89R118C

通信规格

HF band
13.56MHz

MB89R119B

什么是电子纸标签 (ePaper Tag)
电子纸标签是利用 UHF 频段 RFID 的技术，在无电池
状态下工作的带有显示功能的 RFID 标签。由于电子

合作公司电子纸标签

纸标签可以更新显示内容，因此不需要更换标签。

上：Netronix 公司制

此外，由于是在无电池状态下工作，因此也不需要

左：长野日本无线公司制

更换电池。由于这样的特性，可以用来替代物流集

右：SK-Electronics 公司制

装箱标签、工序管理表、现品票的纸标签。
电子纸标签

客户问题及解决方案
通过使用嵌入了我们 LSI 产品的电子纸标签，可以有效解决生产工厂和物流管理中存在的课题。

■ 生产工厂的课题
· 终端的电池更换费时费力
· 连接终端的布线费时费力

■ 生产工厂的解决方案 / 效果
· 如果使用电子纸标签，
则可以减少电池的成本和更换工时
且无需进行连接终端的电源布线

现品票

■ 物流标签方面的解决方案 / 效果
■ 物流现场的课题
· 物流标签的更换费时费力

· 如果使用电子纸标签，
则可以通过无线写入缩短写入时间
同时由于可以多次写入，因此可以减少写入的劳力和成本

物流标签

存储器产品目录 2024

联系我们
中国分公司
RAMXEED (SHANGHAI) LIMITED

我们网站上的查询表
https://cn.ramxeed.com

邮编：

200120

地址：

中国上海市浦东新区江耀路 100 弄（66、70 号）晶耀商务广场 T6 幢 616 室

Tel：

18616220258( 微信 )

E-mail： ml-SM.inquiry_apac@ramxeed.com

授权代理商
（Authorized Distributors）
下面是我们在中国的授权代理商一览表。（按罗马字母顺序）
请注意，这些代理商可能有他们的二级分销商或销售代表来销售我们的产品。

公司名称

地址

联系方式

支持领域

嘉德智能科技（香港）
有限公司

深圳市宝安区新安街道创业二路 188 号
勤诚达大厦 901

Tel: +86-755-27835821
E-mail:
contact@garden-ehk.com

中国

Gemstone Co., Ltd.

深圳市南山区大冲商务中心 A 座 2501

Tel: +86-755-8860-1162
E-mail:
sales@g-ston.com

中国

Gemstone Co., Ltd.

香港九龍長沙灣永康街 77 號環薈中心 18 樓
1810 室

Tel: +86-755-8860-1162
E-mail:
sales@g-ston.com

香港，台湾

上海市长宁区淞虹路 377 号 EBA 中心虹桥 T2N 栋
302-303 室

Tel: +86-21-6146-3688
E-mail:
sales@cn.kagafei.com

中国

加賀富儀艾電子亞太
有限公司

香港新界葵涌货柜码头路 77-81 号
Magnet Place Tower 1, 4 楼 403 室

Tel: (852-) 2736-3232
E-mail:
sales@cn.kagafei.com

香港，台湾，
东盟，大洋洲

深圳市金鼎泰电子
有限公司

深圳市宝安区新安街道留仙二路 19 号
荣信兴创意园 B 座 6 楼

Tel: +86-755-23997000
E-mail:
sales@kingdom-tech.net

中国

金鼎泰（香港）電子
有限公司

香港九龍尖沙咀廣東道 5 號海港城海洋中心 8 樓
826 室

Tel: +86-137-24302997
E-mail:
info@kdtic.com

香港，台湾，
澳大利亚

上海瓴硒电子科技
有限公司

上海市宝山区蕰川路 6 号 1 号楼 216 室

Tel: +86-133-57198295
E-mail:
sales@leadse.cn

中国

深圳市麦积电子科技
有限公司

深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路 14 号
深福保现代光学厂区 B 栋 401A 区

Tel: +86-0755-82737600
E-mail:
xun.c@michip.cn

中国

深圳米瑞斯电子
有限公司

深圳市南山区西丽街道留仙大道平山一路 1 号
云谷二期 11 栋 402 室

Tel: +86-755-86523296
E-mail:
sales_sz@mirischina.com

中国

苏州睿达尔电子
有限公司

苏州市姑苏区太湖西路 1188 号世茂南广场 3 幢
215 室

Tel: +86 512 68131705
E-mail:
sales@radar-electronics.cn

中国

加贺富仪艾电子（上海）
有限公司

RAMXEED LIMITED

(former FUJITSU SEMICONDUCTOR MEMORY SOLUTION LIMITED)
Shin-Yokohama Chuo Building, 2-100-45 Shin-Yokohama,
Kohoku-Ku, Yokohama, Kanagawa, 222-0033, Japan
https://cn.ramxeed.com

投稿記憶體產品型錄（繁體中文版）は RAMXEED に最初に表示されました。

記憶體產品型錄（英文版）

okiweb — Mon, 23 Sep 2024 00:12:14 +0000

RAMXEED represents our company that continues to grow and co-create
in the pursuit of infinite possibilities based on Random Access Memory
(RAM) technology.
“XEED” denotes SUCCEED and EXCEED, which mean success and going
beyond the present respectively, while “X” signifies infinite possibilities
and co-creation.
Although our company name has changed, we will continue to focus on the
high reliability and unique proposal capabilities that our customers value.

PURPOSE
Realizing a future full of dreams with memory
technology.
We changed our company name from Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
to RAMXEED Limited.
Our new company name reflects our desire to continue to be a professional group for
non-volatile RAM, including FeRAM, which has provided value to our customers for over
20 years.

High-Performance and High-Reliability Memory
We currently offer product families for FeRAM and ReRAM. Both are non-volatile memories, but each has different features and is suitable
for different applications.
The greatest strength of FeRAM is the high number of data read/write cycles that can be guaranteed.
Since it can be rewritten data up to 100 trillion times, our FeRAM is suitable for usages that rewrite data frequently. For example, the FeRAM
memory has been adopted as a memory for recording information in meters, measuring instruments, industrial robots, and automobiles.
On the other hand, ReRAM‘s strengths are an unlimited number of data reading times and an extremely small read current. It is suitable for
usages that first record basic information and programs required for operation and frequently read that data during. In addition, it is
expected extension of battery life in battery-operated small devices by using ReRAM for memory. For example, it is ideal for small
wearable devices such as hearing aids and smartwatches.

Position of Non-volatile Memory

FeRAM Shipment History

Memory Density
Large

For less rewrite usage
(ex. parameter
reading)

NAND
Flash

For frequent rewrite usage
(ex. real-time data logging)

NOR
Flash

>20

FeRAM

EEPROM

Small

Shipped
Quantity

Production
Supply Period

ReRAM

years

Read/Write Cycle Endurance

Low

billion pcs

FeRAM
Usages

Countries
FeRAM Shipped

>200

applications

>60

countries

High

For the global environment, what we can do
By developing memory products that consume less power, we are cooperating in

For a healthy life,
what we can do

reducing CO2 emissions, one of the greenhouse gases.

Our memory products help people around

In this way, we are contributing to the achievement of three of the 17 Sustainable

the world live healthier lives.

Development Goals (SDGs) adopted by the United Nations by providing

Hearing aids are used for people who are

environmentally friendly semiconductor devices and solutions.

hard of hearing. Also, for people who have
trouble sleeping, continuous positive airway

QUALITY
EDUCATION

AFFORDABLE AND
CLEAN ENERGY

RESPONSIBLE
CONSUMPTION
AND PRODUCTION

Goal

Our activities

Efficiency

Our products

Goals4:
Quality
education

Providing
products to
universities and
public
facility by free

Cooperate
with science
technology
learning

Non-volatile
memory
“FeRAM”, “RFID”

Goals7:
Affordable
and clean
energy

Providing low
power
devices

Goals12:
Responsible
consumption,
production

Reduction of

CO2 emission

help them sleep. Our memory products are
also used in those products and devices
that support such healthy living.

Non-volatile
memory
“FeRAM”, “RFID”

Reduction
of battery
wastes

Providing
Batteryless
solutions

pressure (C PAP) devices are working to

Batteryless
solutions

For society, what we can do
By providing compact, high-performance memory
products, we are enabling the miniaturization and
high performance of social infrastructure facilities

Public

and devices. In addition, we are helping to enrich
the lives of individuals by being used in the
products such as IC cards and wearable devices
for general consumers.

Networking
Power meters, Gas meters

Infrastructure
ATM, Elevators, Solar panels

Medical

Automotive

VTDR, ADAS, TPMS, BMS

Consumer

5G base station, Routers, RAID

Smart Meters

CT Scans, Monitors

Consumers

IC cards, Watches, Hearing aids

Industrial

Robots, CNC, Motors, PLC

Products for Biz

Enterprise

Drones, Printers, POS

Personal
Memory Products Catalog 2024

FeRAM

FeRAM Product Family
Our FeRAM products are categorized into two product families. One is “FeRAM (Device)” in the form of SOP and TSOP packages for general
use, and another is “FeRAM-embedded LSI” which is an applicationspecified LSI such as RFID LSI and authentication LSI.
One type of RFID LSI provides not only high-speed wireless communications, but also features wireless power transfer, making it possible to
construct a Battery-less wireless solution that consists of a FeRAM-embedded LSI and Reader/Writer device.

FeRAM Product Family
FeRAM(Device)

FeRAM-embedded LSI

Serial Memory

RFID LSI
Authentication LSI

Parallel Memory

Custom LSI

FeRAM Structure
FeRAM is a memory using ferroelectric elements. Its cell structure and method to store data are different from other conventional nonvolatile
memory devices such as EEPROM and Flash memory. Of course, the judgment method of stored data “1” and “0” is also different.
EEPROM judges “1” or “0” data by the state of the memory cell being charged or discharged. While FeRAM is judged by the state of electric
polarization caused by the movement of atoms in the molecule. Regarding FeRAM structure, we use PZT(lead zirconate titanate) as a
ferroelectric element. The crystalline structure of PZT is shown below.
The zirconium or titanium positive ion occupies two stable positions in the lattice and can be moved between the positions by applying an
external electric field. Either up or down polarization can be stored even if the electric field is removed. This means the state of “polarization”
is memorized. Ferroelectric memory utilizes the characteristics of this non-volatility.

EEPROM
Data storage
area

FeRAM
Electrons

presence or absence of
electrons in the data storage
area forms “1” or “0”

Memory Products Catalog 2024

Pb (Lead)

Polarization
by moving
of atoms
Position of atoms in center
forms data “1” or “0”

Zr (Zirconium) or
Ti (Titanium)
O (Oxygen)

Crystal structure of PZT

FeRAM

FeRAM Overview
The memory density of FeRAM products ranges from 4Kbit to 8Mbit. The interface has a serial interface (SPI, I2C) and a parallel interface.
16Kbit to 8Mbit (SPI interface) /
4Kbit to 1Mbit (I2C interface) /
256Kbit to 8Mbit (parallel interface)

Density
Operating voltage

1.65 to 1.95V / 1.7 to 1.95V / 1.7 to 3.6V /
1.8 to 3.6V / 2.7 to 3.6V / 2.7 to 5.5V / 3.0 to 5.5V

Operating temperature
range

-40 to +85°C / -40 to +95°C / -40 to +105°C / -40 to +125°C

Read/Write endurance

1 trillion / 10 trillion / 100 trillion

* : Please refer to datasheet of each product in details.

8Mbit Quad SPI FeRAM

FeRAM Features
FeRAM has four superior features non-volatility, high read/write endurance, fast writing speed, and low power consumption.

4 Great Features
Nonvolatility

High Read/
Write Cycle
Endurance

⬛ Stored data are not disappeared at power off
⬛ No battery is needed for data retention
⬛ Guarantees 100 trillion(10 ) read/write cycles
⬛ 100 million times EEPROM’s endurance

Fast Writing
Speed

⬛ Enable to overwrite data without erasing operation
⬛ No waiting time for erasing/writing operation

Low Power
Consumption

⬛ No booster circuit for a write operation
⬛ Lower power consumption at writing by short
writing time
⬛ No data retention current to keep the data

Comparison between FeRAM and other memories
Item

FeRAM

EEPROM

FLASH

SRAM

Memory Type

Non-volatile

Volatile

Write Method

Overwrite

Erase + Write

Overwrite

Write Cycle Time

120ns

5ms

10μs

55ns

Read/Write Cycles

100 trillion

1 million

0.1 million

Unlimited

Booster Circuit

Yes

Data Backup Battery

Yes

Memory Products Catalog 2024

FeRAM

Serial Memory Lineup
SPI Interface *1
Memory
density
(bit)
8M

512K

MB85RQ8MX

Industrial

2.7 to 3.6

108M

-40 to +105 100 trillion 10years(+105°C)

SOP-16

MB85RQ8MLX

Industrial

1.7 to 1.95

108M

-40 to +105 100 trillion 10years(+105°C)

SOP-16

MB85RS4MTY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8*4

MB85RS4MLY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8*4

64K

16K

Industrial

1.8 to 3.6

40M

-40 to +85 100 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RQ4ML

Industrial

1.7 to 1.95

108M

-40 to +85 10 trillion

10years(+85°C)

SOP-16

MB85RS2MTY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MB85RS2MLY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

-40 to +85 100 trillion

MB85RS2MTA

Industrial

1.7 to 3.6

40M

MS85RS1MTY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MS85RS1MLY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

-40 to +85 10 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RS1MT

Industrial

1.8 to 3.6

30M

MB85RS512TY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MB85RS512LY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

Industrial

-40 to +85 10 trillion

10years(+85°C)

SOP-8/DFN-8/WL-CSP-8*5

1.8 to 3.6

30M

1.8 to 3.6

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

50M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

-40 to +125 10 trillion 70.4years(+85°C)

SOP-8

MB85RS256LYA Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RS256TY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

40M

MB85RS256B

Industrial

2.7 to 3.6

33M

MB85RS128TY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

40M

MB85RS128B

Industrial

2.7 to 3.6

33M

MB85RS64VY

Automotive/Industrial

2.7 to 5.5

33M

MB85RS64V

Industrial

3.0 to 5.5

20M

-40 to +85

MB85RS64T

Industrial

1.8 to 3.6

10M

-40 to +85 10 trillion 40.2years(+85°C)

MB85RS64

Industrial

2.7 to 3.6

20M

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RS16N

Industrial

2.7 to 3.6

20M

-40 to +95

1 trillion

10years(+95°C)

SOP-8/SON-8

MB85RD16LX

Industrial

1.65 to 1.95

15M

*1: Please refer to the datasheet of each product for details.
*2: Automotive-grade products comply with AEC-Q100.
*3: Please refer to the datasheet for data retention time at 125°C.
*4: SOP-8 is an industrial grade.
*5: Products that operate at 1.7 V are also available.

Package

MB85RS4MT

MB85RS256TYA Automotive/Industrial

128K

Data
retention *3

Grade *2

MB85RS512T

256K

Operating
Power supply Operating
frequency temperature Read/Write
voltage
cycles
(Hz)
( ̊ C)
(V)

Part number

Memory Products Catalog 2024

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

-40 to +125 10 trillion 70.4years(+85°C)
-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

-40 to +125 10 trillion 70.4years(+85°C)
1 trillion

10years(+85°C)

-40 to +125 10 trillion 23.7years(+105°C)

SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8*5/SON-8

SON-8

FeRAM

Serial Memory Lineup
I2C Interface *1
Memory
density
(bit)

512K

256K

128K

Power supply Operating
Operating
voltage
frequency temperature Read/Write
cycles
(Hz)
( ̊ C)
(V)

Part number

Grade *2

MS85RC1MTY

Automotive/Industrial

MS85RC1MLY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

1.8 to 3.6

Data
retention *3

Package

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MB85RC1MT

Industrial

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +85

MB85RC512TY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MB85RC512LY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

10 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC512T

Industrial

1.7 to 3.6

3.4M

-40 to +85

MB85RC256TY

Automotive/Industrial

1.8 to 3.6

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

MB85RC256LY

Automotive/Industrial 1.7 to 1.95

3.4M

-40 to +125 100 trillion 70.4years(+85°C)

DFN-8/SOP-8

10 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC256V

Industrial

2.7 to 5.5

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC256VN

Industrial

2.7 to 5.5

-40 to +95

1 trillion

10years(+95°C)

SOP-8

MB85RC128A

Industrial

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC64TA

Industrial

1.8 to 3.6

3.4M

MB85RC64A

Industrial

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC64V

Industrial

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC16

Industrial

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8/SON-8

MB85RC16V

Industrial

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC04

Industrial

2.7 to 3.6

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

MB85RC04V

Industrial

3.0 to 5.5

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

SOP-8

Data
retention

Package

64K

16K

-40 to +105 10 trillion 19.1years(+105°C)

SOP-8/SON-8

*1: Please refer to the datasheet of each product for details.
*2: Automotive-grade products comply with AEC-Q100.
*3: Please refer to the datasheet for data retention time at 125°C.

Parallel Interface *1
Memory
density
(bit)

Part number

Grade

Power supply Cycle time Operating Read/Write
temperature
voltage
cycles
(ns)
( ̊ C)
(V)

8M(1M×8)

MB85R8M1TA Industrial 1.8 to 3.6

120

-40 to +85

100 trillion

10years(+85°C)

TSOP-44/FBGA-48

8M(512K×16)

MB85R8M2TA Industrial 1.8 to 3.6

120

-40 to +85

100 trillion

10years(+85°C)

TSOP-44/FBGA-48

4M(512K×8)

MS85R4M1TA Industrial 1.8 to 3.6

120

-40 to +105 100 trillion 10years(+105°C)

TSOP-44/FBGA-48

MS85R4M2TA Industrial 1.8 to 3.6

120

-40 to +105 100 trillion 10years(+105°C)

TSOP-44/FBGA-48

4M(256K×16)
256K(32K×8)

MB85R4M2T

Industrial 1.8 to 3.6

150

-40 to +85

10 trillion

10years(+85°C)

TSOP-44

MB85R256F

Industrial 2.7 to 3.6

150

-40 to +85

1 trillion

10years(+85°C)

TSOP-28

*1: Please refer to the datasheet of each product for details.

Memory Products Catalog 2024

ReRAM

ReRAM Overview
The memory density lineup of ReRAM products is 8Mbit and 12Mbit. Their interface is SPI interface.

Density

8Mbit, 12Mbit (SPI interface)

Operating voltage

1.6 to 3.6V

Operating temperature range -40 to +85°C
Read endurance

Unlimited

Write endurance

1 million (8Mbit), 0.5 million(12Mbit)

Package

11pin WL-CSP

12Mbit ReRAM

*: Please refer to datasheet of each product in details.

ReRAM Features, Structure
ReRAM which stands for Resistive Random Access Memory has four superior features non-volatility, very small read current, large density,
and very small package. Especially, it has an extremely smaller read current level than other non-volatile memory products as the average
read current is as small as 0.15mA at an operating frequency of 5MHz. It enables to extend of battery life in battery-operated end-products.
Our ReRAM product in a very small package of 2mm x 3mm is ideal for use in wearable devices.
ReRAM which stands for Resistive Random Access Memory is a non-volatile memory storing data by changing resistance in cell material. It
records “1” or “0” of data by massive changes in resistance.

4 Great Features
Nonvolatility
Very Small
Read Current

⬛ Stored data are not disappeared at
power off
⬛ No battery is needed for data retention
⬛ Average read current is 0.15mA at 5MHz
operation
⬛ Maximum read current is 0.7mA at 10MHz
operation

Read Current
(mA)
3.0mA
3.0

2.0

State A:
Large resistance

State B:
Small resistance

Save Area to
only 13%

8.1
mm

8pin SOP
11pin
WL-CSP

0.15mA

EEPROM

⬛ 11pin WL-CSP in approximately 2mm x 3mm

11pin WL-CSP
package

1.0

access memory

Very Small
Package

8pin SOP package

Maximum 95%
Reduction

⬛ Large density of 12Mbit as non-volatile random

Large
Density

ReRAM

State of resistance in memory cell
forms “1” or “0”

3mm

5.85mm

Read Current Comparison

2
mm

Mounting Area Comparison

Cell Structure of ReRAM

ReRAM Lineup
Memory
density(bit)

Part number

Operating
Power supply
Operating
voltage(V) frequency(Hz) temperature( ̊ C)

Read
current

Read
cycles

Write
cycles

Package

12M

MB85AS12MT

1.6 to 3.6

10M

-40 to +85

Max 0.7mA

Unlimited

0.5 million

WL-CSP-11

MB85AS8MT

1.6 to 3.6

10M

-40 to +85

Max 0.7mA

Unlimited

1 million

WL-CSP-11

Memory Products Catalog 2024

SOLUTION

Customer’s Issues and Solutions
FeRAM and ReRAM of non-volatility memory products have superior features compared with conventional memories such as flash memory,
EEPROM, and SRAM.
Our memory products can solve the following issues arising from the use of conventional memory products.

Solutions by FeRAM 01

High read/write endurance eliminates the need for wear leveling

■ Issues with conventional memories
• Increased software complexity
• As a result, more verification hours
• It also increases the risk of buggy products
entering the market

Solutions by FeRAM 02

■ Solutions by FeRAM
• No downside to performing wear leveling
because the software is simplified
• Reduced development time
• Fewer buggy products on the market,
with the expectation of increased
customer satisfaction

Controller(MCU)

…….

D3 D2 D1

Data Stream
1st – 4th wrire

FeRAM

D1,D2
Address-2
Address-1

High read/write endurance and fast writing speed enable high-frequency data logging

■ Issues with conventional memories
• When writing data over a 10-year period,
EEPROMs are limited to 11 writes per hour
or 270 writes per day
• It is possible that the necessary data is not
collected
• More frequent data writing than that
requires wear leveling and other measures

■ Solutions by FeRAM
• FeRAM can be rewritten data up to
300,000 times/second
(over 20 billion times per day)
• Enables detailed recording of data
transitions to obtain real data

EEPROM

FeRAM
Time

:Logging point

High-frequency data logging to obtain
highly accurate data

that increases software complexity

Solutions by FeRAM 03

High-speed writing ensures recording of data even in the event of a power outage or temporary power failure
Abnormal voltage drop occurs

■ Issues with conventional memories
• Since the write time is on the order of ms, if
the power supply stops during a write or erase
operation, there is a high probability that the
data that was being written will be lost.

Solutions by FeRAM 04

■ Solutions by FeRAM
• Because data is written at 120ns, data
writing is completed before power loss
• Reliable data logging even in the event
of a sudden power outage

Power off
Power supply
voltage

FeRAM

EEPROM

Write time
=5ms

Data writing is completed
before the power shuts
down.
Data writing cannot
be completed before
the power shuts down.

Low write energy allows power consumption to be reduced
■ Solutions by FeRAM

■ Issues with conventional memories
• High write power consumption affects
battery life

Write time
=120ns

• Write energy of FeRAM is 1/100th of
EEPROM and 1/20,000th of Flash
• Battery life can be greatly extended in
write-intensive applications
• Contributes to reducing environmental
impact

Comparison of BOM costs

Total
BOM
cost

Super
Capacitor

EEPROM
chip
EEPROM

FeRAM
chip

Total
BOM
cost

FeRAM

Memory Products Catalog 2024

FeRAM-embedded ASICs/ASSPs

What is an FeRAM-embedded ASIC/ASSP?
We design and develop FeRAM a non-volatile memory integrated application-specific integrated circuits (ASICs: custom LSI products) and
application-specific standard products (ASSPs). FeRAM can be integrated into the CMOS process and combined with logic and analog circuits
on a single chip. We have developed many highly reliable and high-performance system LSIs, such as LSIs for RFID and IC cards, based on our
know-how cultivated through more than 20 years of experience in the design and development of FeRAM integrated LSIs. We offer one-stop
IC development services from specification design to manufacturing according to customer needs.

Do you have any of the following issues?
CASE1

You cannot differentiate
your products from
those of your
competitors and can
only compete on price.

CASE2

CASE3

Due to the low number
of data read/write
cycles, it takes time to
develop software to
extend the life of the
product.

Battery life cannot
be extended as
long as desired.

CASE4

Combining
different chips
increases size and
costs.

FeRAM-embedded ASICs/ASSPs
can solve your problems!

Your products are
susceptible to data
loss, power
outages, and
shocks, resulting in
an unstable system.

Performance beyond conventional memory
Highly unique IC with many
features beyond conventional
memory, such as fast writing
speed, low power consumption,
and environmental resistance.

High endurance of products

Unparalleled low power consumption

Chip miniaturization

Excellent stability

Due to the high number of data
read/write cycles, there is no need
to develop software to extend the
life of the product.

Area reduction is possible by using
ferro capacitance, which has more
than 10 times the capacitance per
unit area of MIM and MOS
capacitance.

Powerful in wearable devices and
other devices where battery life is
critical

Eliminates data loss associated
with EEPROM and FLASH, allowing
you to configure highly reliable
systems that can withstand power
outages and shock.

Authentication IC

Rotary encoder

Wireless powered sensing

Want to protect products from counterfeiters
and ensure their safety and reliability

Want to count the number of motor revolutions
even when there is no power supply, such as
during a power failure in a factory.

Want to make the sensor part wireless so it
can be placed anywhere and also eliminate
the need to change batteries.

Reason for employing authentication ICs
RAMXEED’s unique authentication without encryption
provides high security strength with no key information
to be stolen, protecting your products from the threat
of counterfeit products. We provide ICs that can be
used safely and reliably for a long time and reduce the
development burden for our customers.

CASE5

Memory Products Catalog 2024

Reason for employing rotary encoders
By far the lowest write power consumption
compared to other memories, enabling module
design in conjunction with energy harvesting devices.
Modules previously consisting of battery + SRAM can
be replaced with a maintenance-free configuration of
an energy harvesting device + FeRAM.

Reason for employing wireless powered sensing ICs
Wirelessly powered sensing ICs have no batteries but can
activate power at high speed by radio waves from a wireless
reader/writer or weak power from an energy harvesting
device to feed power to the sensor, acquire sensor data, and
transmit it wirelessly. They require no batteries or wiring,
making them environmentally friendly and economical.

VISION: Future co-creation partner chosen for our unique technologies.

FeRAM-embedded RFID
The advantages of our FeRAM-embedded RFID are the large memory capacity and fast data writing speed. If our RFID LSI is used in a tag to
record the process history of products in a factory, the throughput time can be shortened. In addition, a product line with two interfaces,
wireless and SPI, can use SPI for high-speed processing to record data and read back the written data wirelessly when the device is turned off.
The products can operate fast processing by SPI interface and can read out important data using a wireless interface during power outages.

Lineup of FeRAM-embedded RFID
Part number
MB97R8110
MB97R8050

Operating
frequency
UHF band
860 to 960MHz

User memory
density
8Kbyte

Interface

Read/Write cycles

SPI(Master/Slave)

10 trillion

–

10 billion

36byte(EPC128bit)

ISO/IEC18000-63
EPC C1G2 Ver.1.2.0

8Kbyte

ISO/IEC15693

–

1 trillion

2Kbyte

ISO/IEC15693

–

1 trillion

256byte

ISO/IEC15693

–

1 trillion

MB89R112A
MB89R118C

Commands

HF band
13.56MHz

MB89R119B

What is ePaper Tag?
ePaper Tag uses UHF RFID technology and is a
battery-less RFID tag with a display function. ePa-

ePaper Tag products from

per Tag can update its display content, eliminating

partner companies:

the need to replace labels. In addition, battery-free

Top: Netronix

operation eliminates the need to change batteries.

Left: Nagano Japan Radio

Because of these characteristics, ePaper Tag can be

Right: SK-Electronics

used to replace paper labels for logistics containers,
ePaper Tag

process control charts, and identification tags.

Customer’s Issues and Solutions
By using ePaper Tag with our LSI products, you can solve the problems you have been facing in your production plants and logistics management.

■ Challenges at production plants
• Replacing the battery in the terminal is
a hassle.
• The wiring to the terminal is a hassle.

■ Challenges in the logistics field
• Rewriting the logistics label is a hassle.

■ Proposed solution for production
plants and its effect
• The use of ePaper Tag reduces battery costs and

replacement work and also eliminates the need to
wire power to the terminal.

Identification tag

■ Proposed solution with logistics labels
and its effect

• The use of ePaper Tag reduces rewrite time via wireless

and also reduces rewrite work and costs because it can
be rewritten as many times as needed.

Logistics label

Memory Products Catalog 2024

Global contacts
Authorized Distributors

RAMXEED web site

https://ramxeed.com

Americas
Company Name
KAGA FEI AMERICA, Inc.

Address
Headquarter:
2349 Bering Drive, San Jose, CA 95131, USA

Contact

Support Area

Tel: +1 (800) 866-8608
E-mal:
info@us.kagafei.com

North America,
South America

Europe, Middle East, Africa, Central Asia
Company Name
KAGA FEI EUROPE GmbH

Memorysolution GmbH

Address

Contact

Support Area

Headquarter:
Robert-Bosch-Strasse 25, 63225 Langen, Germany

Tel: +49-6103-690-222
E-mail:
info@eu.kagafei.com

Europe,
Middle East, Africa,
Central Asia

Headquarter:
Hafenstr. 17, D-79206 Breisach Germany

Tel: +49 7667 / 9469-0
E-mail:
industrial@memorysolution.de

Europe,
Middle East, Africa,
Central Asia

Contact

Support Area

Asia
Company Name

Address

GARDEN INTELLIGENT
TECHNOLOGY CO., LTD.

#901, Building 13, Keenstar Building,
Lingzhiyuan Community, Xin’an Street, Bao’an
District, Shenzhen, CHINA

Tel: +86-755-27835821
E-mail:
contact@garden-ehk.com

China

Gemstone Co., Ltd.

Headquarter:
#2501, Building A, Dachong Business Center,
Nanshan District, Shenzhen, Guangdong,
China 518053

Tel: +86-755-8860-1162
E-mail:
sales@g-ston.com

China

Gemstone Co., Ltd.

Hong Kong of fice:
Flat/Rm 1810 18F. Ceo tower 77 Wing Hong
Street Cheung Sha Wan HK

Tel: +86-755-8860-1162
E-mail:
sales@g-ston.com

Hong Kong, Taiwan

Gemstone Korea Co., Ltd.

Headquarter:
#202, 327, Teheran-ro, Gangnam-gu, Seoul,
Republic of Korea

Tel: +82-2-557-0010
E-mail:
sales@g-ston.com

Korea

KAGA FEI ELECTRONICS
(Shanghai), Co., Ltd.

Headquarter:
Rm.03-05, 6F, Pingan Riverfront Financial
Center, 757 Meng Zi Road, Huangpu District,
Shanghai, China

Tel: +86-21-6146-3688
E-mail:
sales@cn.kagafei.com

China

KAGA FEI Electronics
Pacific Asia Limited

Headquarter:
Unit 403 on 4th Floor of Magnet Place, Tower
1,77-81, Container Port Road, Kwai Chung,
New Territories, Hong Kong

Tel: (852-) 2736-3232
E-mail:
sales@cn.kagafei.com

Headquarter:
#902, 416, Yeongdong-daero,
Gangnam-gu, Seoul, Korea

Tel: +82-2-3484-7100
E-mail:
kfk-info@kr.kagafei.com

Korea

KINGDOM-TECH
ELECTRONIC LIMITED

Headquarter:
6th Floor, Block B, Rongxinxing Creative
Building, No.19 Liuxian 2nd Road, Xin’an Street,
Bao’an District, Shenzhen, China

Tel: +86-755-23997000
E-mail:
sales@kingdom-tech.net

China

KINGDOM-TECH
ELECTRONIC LIMITED

Hong Kong Of fice:
Flat/Rm 826 8/F Ocean Centre Harbour City
5 Canton Road TST KL HONG KONG

Tel: +86-137-24302997
E-mail:
info@kdtic.com

Hong Kong, Taiwan,
Australia

ROOM 216, BUILDING 1, SCIENCE PARK,
ZHIHUIWAN, NO 6 WENCHUAN RD,
BAOSHAN DISTRICT, SHANGHAI, CHINA

Tel: +86-133-57198295
E-mail:
sales@leadse.cn

China

Shenzhen Michip Electronic
Technologies Co., Ltd.

Room401, BuildingB, Julongshan Emerging
Industrial Park, Jinxiu Middle Road, Pingshan
District, Shenzhen, P.R. China

Tel: +86-0755-82737600
E-mail:
xun.c@michip.cn

China

SHENZHEN MIRIS
ELECTRONICS CO., LTD.

Rm 402, Bldg 11, Yungu Phase II, No. 1
Pingshan 1st Rd, Liuxian Blvd, Xili, Nanshan
District, Shenzhen, Guangdong, China

Tel: +86-755-86523296
E-mail:
sales_sz@mirischina.com

China

Suzhou Radar Electronics
Co., Ltd.

Headquarter:
ROOM215, Building3.SHIMAO PLAZA SOUTH
AREA, GUSU DISTRICT, SUZHOU, JIANGSU,
P.R.CHINA

Tel: +86 512 68131705
E-mail:
sales@radar-electronics.cn

China

KAGA FEI Korea Ltd.

SHANGHAI LEADSE
TECHNOLOGY CO., LTD.

Hong Kong, Taiwan,
ASEAN, Oceania

RAMXEED LIMITED

(former FUJITSU SEMICONDUCTOR MEMORY SOLUTION LIMITED)
Shin-Yokohama Chuo Building, 2-100-45 Shin-Yokohama,
Kohoku-Ku, Yokohama, Kanagawa, 222-0033, Japan
https://ramxeed.com

投稿記憶體產品型錄（英文版）は RAMXEED に最初に表示されました。

記憶體產品型錄（日文版）

okiweb — Tue, 24 Sep 2024 00:12:14 +0000

投稿記憶體產品型錄（日文版）は RAMXEED に最初に表示されました。

FeRAM 基礎篇（日文）

okiweb — Sun, 22 Sep 2024 00:12:14 +0000

FeRAMの基礎編

2024年9月

©︎RAMXEED Limited

目次
1

概

商談事例

実

績｜FeRAMの出荷実績、受賞歴

特

長｜FeRAMの特長

課題と解決策｜お客様の課題とFeRAMによる解決案

要｜FeRAMとは？

｜FeRAMが使われているアプリケーション

©︎RAMXEED Limited

1. FeRAMの概要
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼ FeRAM（エフイーラム）とは？
◼FeRAMは、半導体の「メモリ」のひとつです
◼“Ferroelectric RAM“の略称です

FeRAMの実物写真

◼強誘電体メモリとも呼ばれます

電子部品
FeRAMのパッケージ

半導体
メモリ

8ピンDFN

8ピンSOP

44ピンTSOP

FeRAM

8ピン WL-CSP

48ピン FBGA

©︎RAMXEED Limited

1. FeRAMの概要
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMはどんなメモリ？
◼電源を切ってもデータが消えない「不揮発性メモリ」
メモリ
（データを記憶する半導体）
揮発性メモリ: 電源を切るとデータが消える

不揮発性メモリ: 電源を切ってもデータが消えない

◼ 長所：・データの書込み回数が無制限

◼ 長所：・電源オフでもデータを保持できる

・高速でのデータのリード・

ライトが可能
◼ 短所：・動作時の電力消費が多い
・データ保持バッテリーが必要
◼ 代表的なメモリ／主な用途

・DRAM／パソコン、スマートフォン

・低消費電力

◼ 短所：・高速でのデータのリード・ライトが苦手
◼ 代表的なメモリ／主な用途
・フラッシュメモリ／パソコン、スマートフォン
・EEPROM／計測機器、産業機械

・FeRAM／ICカード、メーター、ロボット、カーナビ

・SRAM／産業機械、医療機器

©︎RAMXEED Limited

1. FeRAMの概要
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMのラインナップ
◼インターフェースは、I2C、SPI、パラレルの３種類
◼メモリ容量は、4Kビット～8Ｍビット
◼動作温度範囲の上限は、最大125℃
インターフェース

I2C

SPI

パラレル

メモリ容量

4K～1Mビット

16K～8Mビット

256K～8Mビット

電源電圧

1.7～1.95V / 1.8～3.6V
2.7～3.6V / 2.7～5.5V

1.65～1.95V / 1.7～1.95V
1.7～3.6V / 1.8～3.6V
2.7～3.6V / 2.7～5.5V

1.8～3.6V
2.7～3.3V

動作温度
範囲

－40℃～＋125℃
－40℃～＋105℃
－40℃～＋95℃
－40℃～＋85℃

－40℃～＋105℃
－40℃～＋85℃

パッケージ

SOP, SON, DFN

SOP, SON, DFN, WL-CSP

SOP, TSOP, FBGA

＊: 詳細な仕様は製品ごとにご確認願います。

(2024年9月現在)

©︎RAMXEED Limited

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼どんなところでFeRAMが使われるのか？
◼公共性が高いインフラや産業を支えるアプリケーションが多い
公共性

ネットワーク向け
PLC、ルーター、RAID

インフラ向け(家庭用)
電力メーター、ガスメーター

インフラ向け(産業用)
ATM、エレベータ、太陽光発電

医療向け

車載向け

CT、医療モニター

カーナビ、eCall

産業向け(工場系）
産業ロボット、工作機械
企業

個人

一般消費者向け

企業向け(民生)

ICカード、腕時計、補聴器

ドローン、複合機、POS

パーソナル性
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2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMはどのように使われているのか？
◼データを頻繁に書き換える用途に最適（センサーデータの常時記録など）
◼多くの国で、様々なアプリケーションへの検討および導入実績あり
000

FeRAMの商談実績

大学へのFeRAMの提供実績

60カ国以上

＞200種類のアプリ
九州工業大学様
「小型人工衛星」

東海大学様
「学生ロケット」

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3. FeRAMの実績
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの出荷実績
◼1999年に量産を開始し、21年間で約40億個の出荷実績
◼FeRAMは、豊富な量産実績をもつ信頼のメモリ
累計出荷実績
出荷数

約40億個

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019

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3. FeRAMの実績
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの受賞歴
◼メモリの新規性、量産化の実現、国内の産業への貢献度が高く評価
◼国内の学会および行政機関から、2015年までに11の賞を受賞
年

賞の名称

主催

2001

第8回LSIデザイン・オブ・ザ・イヤー優秀賞

半導体産業新聞社

2004
2004

CORPORATE INOVATION AWARD
文部科学大臣表彰研究功績者（研究功績者）

ISIF
文部科学省

2007

第2回ものづくり日本大賞優秀賞

2011

産学官連携功労者表彰

2013

応用物理学会フェロー表彰

2013

文部科学大臣奨励賞、電気科学技術奨励賞

2014

大河内記念技術賞

2014

文部科学大臣表彰科学技術賞（開発部門）

2014

第14回山﨑貞一賞

2015

紫綬褒章

日本経済団体連合会会長賞

経済産業省等
内閣府等
応用物理学会

電気科学技術奨励会
大河内記念会
文部科学省
材料科学技術振興財団
内閣府

©︎RAMXEED Limited

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの特長
◼不揮発性メモリでありながら、「揮発性メモリの長所」を兼ね備えたメモリ

不揮発性メモリの
長所

揮発性メモリの
長所

FeRAMの４つの特長
◼

不揮発性
(電源がオフでもデータが

電源オフでも
データが消えない

データの
書換え保証の
回数が多い

消えない）
◼

高書換え耐性
(データの書換え保証の
回数が多い）

低消費電力

高速書込み

◼

高速書込み

◼

低消費電力

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4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼他のメモリとの特長比較
◼FeRAMは、EEPROM、フラッシュメモリ、SRAMと比較して優位性あり
項

目

FeRAM

EEPROM

フラッシュメモリ

SRAM

メモリタイプ

不揮発性

揮発性

データ保持用
バッテリー

不要

必要

書換え回数

100兆回

100万回

10万回

無制限

書込み方法

重ね書き

消去＋書込み

重ね書き

書込み時間

120ns

5ms

10μs

55ns

昇圧回路

不要

必要

不要

©︎RAMXEED Limited

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの特長 – 高書換え耐性
◼長所: 最大100兆回のデータ書換え回数を保証
⚫ 強誘電体にデータを記憶するという構造により実現
書換え回数の比較
100兆回
FeRAM

1億倍

10年間のデータ書換え回数

データ
更新中…

10年間続けると…

100万回
1秒毎に1回

EEPROM

3億回以上
10年間で…

10万回
フラッシュメモリ

0.003ミリ秒毎に
1回

約100兆回
10年間で…

©︎RAMXEED Limited

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの特長 – 高速書込み
◼長所: データ書込みが速い＝データ書込み完了するまでの時間が短い
⚫ 理由は、データ書込み時にデータ消去動作が不要なため

メモリ

データの
書込み時間

データ書込み時のフロー

EEPROM

5ms

データを
書こう

FeRAM

120ns

データを
書こう

書きたい
領域の
データ消去

データ

データ消去された
領域にデータの書込み

データ

書きたい領域に
データの上書き

消去動作がないため、
書込み時間が短い

©︎RAMXEED Limited

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼FeRAMの特長 – 低消費電力
◼長所１: 書込み時の消費電力が少ない（書込み時間が短いため）
◼長所２: データ保持用の電流が不要（不揮発性メモリのため）
書込み時の消費電力比較
消費電力量

データ保持用の電流の比較
SRAM

000

FeRAM
バッテリー

92%減少
SRAM

EEPROM

FeRAM

バッテリーの
電流が必要

FeRAM

電流は不要(ゼロ)

条件: 2Mビット品, 3V, SPI IF,
2Kバイト書込み, 5MHz, 1秒間
©︎RAMXEED Limited

5. 課題と解決策
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼お客様の課題と解決案（ソリューション）
◼次のような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMのご検討をお願いします
EEPROMを使用中

課題

FeRAM
による
解決案

EEPROMを使用中

データを頻繁に取得
したいが、メモリの
書換え制限でできない

瞬断や停電のときに
書込み中のデータ
保護の対策が難しい

100兆回の
書換え保証です

高速書込みで
データを
保護します

SRAMを使用中
バッテリーの
メンテナンスが
面倒だ

不揮発性なので
バッテリー不要
です

©︎RAMXEED Limited

5. 課題と解決策
概

要

商談事例

実

績

特

長

課題と解決策

◼お客様の課題のサポート
◼「FeRAMへの置き換えは面倒」と感じているお客様の課題をサポートします
◼ 汎用メモリと互換できるFeRAMの開発
EEPROMとの置き換えが可能
EEPROM

FeRAM

SRAMとの置き換えが可能
SRAM+バッテリー
SRAM

8ピンSOP

I2C, SPI I/F (I/F互換）
8ピンSOP （ピン互換）

SRAM用
バッテリー

44ピンTSOP

FeRAMのみ
FeRAM

パラレル I/F (I/F互換)
44ピンTSOP (ピン互換）

◼ FeRAMを評価するためのサポート
・シミュレーションでの評価をしたい

Verilog, IBISモデルの提供

・評価サンプルを数個だけ欲しい

Web販売によるサンプルの提供

©︎RAMXEED Limited

投稿 FeRAM 基礎篇（日文）は RAMXEED に最初に表示されました。

FeRAM 商務洽談案例（日文）

okiweb — Sun, 22 Sep 2024 00:12:14 +0000

FeRAMの商談事例
2024年9月

©︎RAMXEED Limited

概

商談事例

メモリへの要求｜商談事例におけるメモリへの要求

特

課題と解決策｜お客様の課題とFeRAMによる解決案

要｜FeRAMの概要

｜FeRAMが使われているアプリケーション

長｜FeRAMの特長

©︎RAMXEED Limited

1. FeRAMの概要
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ FeRAM（エフイーラム）はどんなメモリ？
FeRAMは、半導体の「不揮発性メモリ」のひとつ
◼ 強誘電体メモリ「Ferroelctric RAM」の略称
◼ データの記憶は強誘電体の分子の“分極”を利用
◼

◼ FeRAMの特長
４つの特長を兼ね揃えたメモリ
◼ 不揮発性（電源を切ってもデータが消えない）
◼ 高書換え耐性（データ書換え保証回数が多い）
◼ 高速書込み
◼ 低消費電力

FeRAM製品のパッケージ

8ピンDFN

8ピンSOP

分極によるデータの記憶構造
FeRAMの分子構造(簡易図)

原子の移動
による「分極」

中心にある原子の位置により
「1、０」を判定
©︎RAMXEED Limited

1. FeRAMの概要
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ FeRAMのラインナップ
◼

インターフェースは、I2C、SPI、パラレルの３種類

◼

メモリ容量は、4Kビット～8Ｍビット

◼

動作温度範囲の上限は、最大125℃
インターフェース

I2C

SPI

パラレル

メモリ容量

4K～1Mビット

16K～8Mビット

256K～8Mビット

電源電圧

1.7～1.95V / 1.8～3.6V
2.7～3.6V / 2.7～5.5V

1.65～1.95V / 1.7～1.95V
1.7～3.6V / 1.8～3.6V
2.7～3.6V / 2.7～5.5V

1.8～3.6V
2.7～3.3V

動作温度
範囲

－40℃～＋125℃
－40℃～＋105℃
－40℃～＋95℃
－40℃～＋85℃

－40℃～＋105℃
－40℃～＋85℃

パッケージ

SOP, SON, DFN

SOP, SON, DFN, WL-CSP

SOP, TSOP, FBGA

＊: 詳細な仕様は製品ごとにご確認願います。

(2024年9月現在)

©︎RAMXEED Limited

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ FeRAMの出荷実績
◼

1999年に量産を開始し、23年間で40億個以上の出荷実績

000

◼ FeRAMの商談実績
◼

世界60カ国以上、200種類以上のアプリケーションで商談実績あり

出荷実績

商談実績

出荷数

40億個以上

60カ国以上
＞200種類のアプリ

22年間の出荷実績
©︎RAMXEED Limited

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ どんなところでFeRAMが使われるのか
◼

公共性が高いインフラや産業を支えるアプリケーションが多数

◼

データを頻繁に書き換える用途
公共性

ネットワーク向け
インフラ向け(家庭用)
電力メーター、ガスメーター

PLC、ルーター、RAID

インフラ向け(産業用)
ATM、エレベータ、太陽光発電

医療向け

車載向け

CT、医療モニター

カーナビ、eCall

産業向け(工場系）
産業ロボット、工作機械
企業

個人

一般消費者向け

企業向け(民生)

ICカード、腕時計、補聴器

ドローン、複合機、POS

パーソナル性
©︎RAMXEED Limited

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ 車載向け
カーナビ、ドライブレコーダ

タイヤ空気圧監視システム (TPMS)

車両緊急通報システム (eCall)

バッテリー管理システム (BMS)

©︎RAMXEED Limited

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ 産業向け（工場系）
モーター、ロータリーエンコーダー

工作機械 (CNC)

産業用ロボット

プロセスモニター

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ インフラ向け
スマートメーター、ガスメーター

エレベーター

プログラマブルロジックコントローラー(PLC)

発券機、現金自動預け払い機 (ATM)

2. FeRAMの商談事例
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ 一般消費者向け、企業向け
セキュリティカード、交通系カード

ドローン

スマートウオッチ

複合機 (MFP)

3. メモリへの要求
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ 商談事例におけるメモリへの要求
◼

「メモリへの要求」を満たすには、メモリには４つの特長が必要

４つの特長に集約

商談事例のまとめ
No

アプリの分類

メモリへの要求

必要とされる特長

車載向け

・リアルタイムでのデータの連続記録
・アクシデント発生時でのデータ保護

高書換え耐性、不揮発性、
高速書込み

産業向け（工場系）

・リアルタイムでの位置情報、回転情報の記録
・停電時、瞬断時での書込み中のデータ保護

同

上

インフラ向け

・使用量、利用状況、位置データの記録
・アクシデント発生時でのデータの保護

同

上

一般消費者向け

・利用履歴の記録、位置情報の記録
・小型バッテリーの寿命を伸ばす低消費電力

高書換え耐性、低消費電力

企業向け

・リアルタイムでのデータの連続記録
・停電時のデータ保護

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ お客様が要求するメモリの特長
◼

メモリへの要求：４つの特長

◼

ソリューション：要求する特長を兼ね備えたメモリ＝FeRAMの使用

メモリへの要求

要求を満足するメモリ

４つの特長

FeRAM

◼ 不揮発性
◼ 高書換え耐性
◼ 高速書込み

◼ 低消費電力

お客様の希望

サポート

多くのデータを
取得したい

４つの特長を
兼ね備えたメモリ
サポート
データを保護したい

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ FeRAMの特長 – 高書換え耐性
◼

長所となる特性：

最大100兆回のデータ書換え回数を保証

◼

お客様のメリット：

高頻度で精度の高いデータを収集可能

10年間のデータ書換え回数

高書換え耐性によるメリット
: ログ取得点

データ

EEPROM

更新中…

10年間続けると…

1秒毎に1回

0.003ミリ秒毎に
1回

10年間で…

3億回以上

FeRAM
時間

約100兆回

高頻度のログ取得で、高精度のデータを獲得

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

メモリへの要求

◼

特

長

課題と解決策

◼ FeRAMの特長 – 高速書込み
◼

長所となる特性：

最速で120nsの書込み時間

◼

お客様のメリット：

瞬断、停電でも、書込み中のデータを破壊から保護

メモリの書込み不良の実験結果

瞬断時の書込み時間の比較

当社瞬断デモ機による実験

異常な電圧低下発生
電源停止

電源電圧

FeRAM

EEPROM

書込み時間
=120ns

書込み時間
=5ms

電源停止までに
データ書込みが完了
電源停止までに
データ書込みが
終わらない

項

目

書込み不良
の頻度

FeRAM

EEPROM

ゼロ
（失敗なし）

約3回に1回

*: メモリへのデータ書込み中に、電源をオフにする実験
100回以上の実施結果。2017年度、当社調べ

4. FeRAMの特長
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ FeRAMの特長 – 低消費電力
◼

長所となる特性：

書込み動作時の電流が少ない（例: 40MHzでの書込み電流＝最大2.3mA)

◼

お客様のメリット：・ウェアラブル／モバイルデバイスのバッテリー寿命の延長
・データ保持のためのバッテリー削減（SRAMの代替の場合）

書込み時の消費電力比較
消費電力量

条件: 2Mビット品, 3V, SPI IF,
2Kバイト書込み, 5MHz,
1秒間

データ保持用の電流の比較
SRAM

FeRAM

000

92%減少

EEPROM

FeRAM

SRAM

バッテリー

バッテリーの
電流が必要

FeRAM

電流は不要(ゼロ)

5. 課題と解決策
概

要

商談事例

メモリへの要求

特

長

課題と解決策

◼ お客様の課題と解決案（ソリューション）
◼

次のような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMのご検討をお願いします
EEPROMを使用中

課題

FeRAM
による
解決案

EEPROMを使用中

データを頻繁に取得
したいが、メモリの
書換え制限でできない

瞬断や停電のときに
書込み中のデータ
保護の対策が難しい

100兆回の
書換え保証です

高速書込みで
データを
保護します

SRAMを使用中
バッテリーの
メンテナンスが
面倒だ

不揮発性なので
バッテリー不要
です

投稿 FeRAM 商務洽談案例（日文）は RAMXEED に最初に表示されました。

Introduction of FeRAM Usage（英文）

okiweb — Sun, 22 Sep 2024 00:12:14 +0000

Introduction of FeRAM Usage
September 2024

Introduction Flow

Overview

｜ Overview of FeRAM

Usage

｜ Applications using FeRAM

Requirements

｜ Requirements to Memory

Features

｜ Four Features of FeRAM

Solutions

｜ Solutions by FeRAM to Customer Issues

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ What is FeRAM?

◼A type of non-volatile memory
◼Stands for Ferroelectric Random Access
Memory
◼Data storage by Electric Polarization

◼ Features of FeRAM

◼Non-volatility
◼High Read/Write Endurance
◼Fast Writing Speed
◼Low Power Consumption

FeRAM Packages

8pin DFN

8pin SOP

Data storage by Polarization
FeRAM Cell Structure

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ FeRAM Lineup

◼Three interface: I2C, SPI, and Parallel
◼Memory density: 4Kbit to 8Mbit
◼Temperature range: Operating at maximum 125℃
Interface

I2C

SPI

Parallel

Density

4K to 1Mbit

16K to 8Mbit

256K to 8Mbit

Supply
Voltage

1.7 to 1.95V / 1.8 to 3.6V
2.7 to 3.6V / 2.7 to 5.5V

1.65 to 1.95V / 1.7 to1.95V
1.7 to 3.6V / 1.8 to 3.6V
2.7 to 3.6V / 2.7 to 5.5V

1.8 to 3.6V
2.7 to 3.3V

Operating
Temperature

-40°C to +125°C
-40°C to +105°C
-40°C to +95°C
-40°C to +85°C

+40°C to +105°C
-40°C to +85°C

Package

SOP, SON, DFN

SOP, SON, DFN, WL-CSP

SOP, TSOP, FBGA

＊: Please confirm detailed specs by each product.

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Quantity of FeRAM shipped

◼Production since 1999, total shipment is more than 4 billion pcs

000

◼ Countries FeRAM shipped

◼Used in over 60 countries, more than 200 types of applications
Shipped Quantity

Countries FeRAM Shipped

Shipments

> 4 billions pcs

> 60 countries
> 200 applications

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Where is FeRAM used?
◼Used in all kinds of market segments, especially strong in the public services
◼Suitable for frequent data logging requirement
Public
Networking
PLC, Routers, RAID

Smart Meters
Power meters, Gas meters
Medical

Automotive
VTDR, eCall, TPMS, BMS

Consumer

Infrastructure

CT Scans, Monitors

ATM, Elevators, Solar panels
Industrial
Robots, CNC, Motors

Consumers

Products for Biz

IC cards, Watches,
Hearing aids

Drones, MFP, POS

Enterprise

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Automotive
Car Infotainment, VTDR, EDR

Tire Pressure Monitoring System
(TPMS)

Vehicle Emergency Call System

Battery Management System

(eCall)

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Industrial (for factory)
Motors, Rotary Encoders

CNC, Control Units

Industrial Robots

Process Monitoring

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Infrastructure
Power Meters, Gas Meters

Programmable Logic Controller
(PLC)

Elevators

Ticketing Machines, ATM

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Business/Consumer
IC Cards, Security ID Cards

Drones

Smart Watches

3. Requirements to Memory
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Requirements to Memory
◼Memory needs 4 types of features to meet the requirements
Summary of FeRAM Usage
No

Applications

Summarized as 4 features!
Requirements to Memory

Required Features

Automotive

Driving data logging in real time
Writing data protected in accident

Industrial

Positioning data logging in real time
Writing data protected in power outage

Infrastructure

Continuous logging of data from sensors
Writing data protected in accident

Consumer

Frequent read/write of data
Low power to extend battery life

High read/write endurance,
Low power consumption

Products for biz

Continuous data logging in real time
Writing data protected in power outage

Non-volatility,
High read/write endurance,
Fast writing speed

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Memory’s Features required from customers
◼Requirement to memory: Having 4 features
◼Solution: Using FeRAM with 4 features
Requirement

Which device?

4 Features

FeRAM

◼ Non-Volatility
◼ High Read/Write
Endurance
◼ Fast Writing
Speed
◼ Low Power
Consumption

Customers’ request

Support

More Data!
Memory with
the 4 features
Support

Protect
writing data!

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – High Read/Write Endurance
◼Spec:
Max. 100 trillion read/write cycles guaranteed
◼Benefits: Highly frequent and accurate data

Benefit by high endurance

Read/write cycle times after 10 years
Data
logging …

Once per
1 second
Once per
0.003ms

: Logging point

EEPROM
Continues
a decade …

for 10 years

>300 million
times

for 10 years

100 trillion
times

FeRAM
Time

Get highly accurate data with very
frequent logging

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – Fast Writing Speed
◼Spec:
Write time Max. 120 ns
◼Benefits: Protect data from sudden power outage
Comparison of write time at power off

Tests using our demo-boards below.

Starts voltage drop
Power off

Supply
Voltage
FeRAM

EEPROM

Result on data writing failure test

write time
=150ns
write time
=5ms

Writing completes
before power off

Writing doesn’t
complete!

Item

FeRAM

EEPROM

Failure
frequency

Zero

Once per
three tests

*: To confirm if data is protected from sudden
power off. Tested >100 times in 2017.

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – Low Power Consumption
◼Spec:
Low write current (e.g., Icc=2.3mA max. in writing@40MHz)
◼Benefits: Extends battery-life in wearable/mobile devices
No batteries for data retention
Power consumption in data writing
Power
consumption

Necessity of data retention current

Battery

000
92% less

EEPROM

FeRAM

SRAM

FeRAM

SRAM

Necessary

FeRAM

Not Necessary

5. Solutions by FeRAM to Customer Issues
Overview

Usage

Requirements

Features

Solutions

◼ Customer Issues and Solutions
◼If you have the following concerns, consider solution by FeRAM

Customer
Concerns

Solutions
by FeRAM

Using EEPROM

Limits of specs don’t
allow frequent data
rewriting …

Writing data at sudden
power outage has risk
to lose data…

Guarantees
>100 trillion
write times

Protects data
in writingRillion
during
power outages

Using SRAM
Maintenance of
battery is costly
and takes time …

No battery
needed

投稿 Introduction of FeRAM Usage（英文）は RAMXEED に最初に表示されました。

What is FeRAM?（英文）

okiweb — Sun, 22 Sep 2024 00:12:14 +0000

What is FeRAM?
September 2024

Introduction Flow

｜ Overview of FeRAM

Overview

Usage

｜ Applications using FeRAM

History

｜ Shipments, Awards

Features

｜ Features of FeRAM

Solutions

｜ Solutions by FeRAM to Customer Issues

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ What is FeRAM?

◼FeRAM is a memory device
in semiconductor products
◼FeRAM stands for Ferroelectric
Random Access Memory

Photos of FeRAM devices

Electronics components

FeRAM packages

Semiconductor products
Memory devices

8-pin DFN

8-pin SOP

44-pin TSOP

FeRAM
8-pin WL-CSP

48-pin FBGA

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ What kind of memory is FeRAM?

◼FeRAM is type of non-volatile memory
Memory
（Electronics components to store data)
Volatile Memory：
Stored data are disappeared at power off

Non-volatile Memory:
Stored data are NOT disappeared at power off

◼ Good – Number of write times is unlimited

◼ Good – Data retention without power supply
– Low power consumption

– Fast read/write operation
◼ Bad

– Larger power consumption
– Need data backup battery

◼ Memory Types/Applications

◼ Bad

– Read/write operation is not fast

◼ Memory Types/Applications
– Flash memory/ PCs, Smart phones

– DRAM/ PCs, Smart phones

– EEPROM/ Metering, industrial machines

– LP-SRAM/ Industrial, Medical machines

– FeRAM/ IC cards, meters, robots, etc.

1. Overview of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ FeRAM Lineup

◼Three interface: I2C, SPI, and Parallel
◼Memory density: 4Kbit to 8Mbit
◼Temperature range: Operating at maximum 125°C
Interface

I2C

SPI

Parallel

Density

4K to 1Mbit

16K to 8Mbit

256K to 8Mbit

Supply
Voltage

1.7 to 1.95V / 1.8 to 3.6V
2.7 to 3.6V / 2.7 to 5.5V

1.65 to 1.95V / 1.7 to1.95V
1.7 to 3.6V / 1.8 to 3.6V
2.7 to 3.6V / 2.7 to 5.5V

1.8 to 3.6V
2.7 to 3.3V

Operating
Temperature

-40°C to +125°C
-40°C to +105°C
-40°C to +95°C
-40°C to +85°C

+40°C to +105°C
-40°C to +85°C

Package

SOP, SON, DFN

SOP, SON, DFN, WL-CSP

SOP, TSOP, FBGA

＊: Please confirm detailed specs by each product.

2. Applications using FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Where is FeRAM used?

◼Used in all kind of market segments, especially strong in the public services
◼Suitable for frequent data logging requirement
Public
Networking
PLC, Routers, RAID

Smart Meters
Power meters, Gas meters
Medical

Automotive
VTDR, eCall, TPMS, BMS

Consumer

Infrastructure

CT Scans, Monitors

ATM, Elevators, Solar panels
Industrial
Robots, CNC, Motors

Consumers

Products for Biz

IC cards, Watches,
Hearing aids

Drones, MFP, POS

Enterprise

3. History of shipment
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Quantity of FeRAM shipped

◼Production since 1999, total shipment is more than 4 billion pcs

000

◼ Countries FeRAM shipped

◼Used in over 60 countries, more than 200 types of applications
Shipped Quantity
Shipment

> 4 billion pcs

Countries FeRAM Shipped

> 60 countries

1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019

> 200 applications

3. History of receiving awards
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ History of receiving awards for FeRAM

◼Our company received 11 awards in 15 years from domestic academic
societies and government agencies
Year

Award Name

Organizer

2001

第8回LSIデザイン・オブ・ザ・イヤー優秀賞

半導体産業新聞社

2004
2004

CORPORATE INOVATION AWARD
文部科学大臣表彰研究功績者（研究功績者）

ISIF
文部科学省

2007

第2回ものづくり日本大賞優秀賞

2011

産学官連携功労者表彰

2013

応用物理学会フェロー表彰

2013

文部科学大臣奨励賞、電気科学技術奨励賞

2014

大河内記念技術賞

2014

文部科学大臣表彰科学技術賞（開発部門）

2014

第14回山﨑貞一賞

2015

紫綬褒章

日本経済団体連合会会長賞

経済産業省等
内閣府等

応用物理学会
電気科学技術奨励会
大河内記念会
文部科学省
材料科学技術振興財団
内閣府

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Features of FeRAM

◼Having advantages of both non-volatile and volatile memories
Advantages of
Non-volatile
memory

Advantages of
Volatile
memory

Features
◼

Non-volatility

(Keeping data at power off)
Keeping data
at power off

Low power
consumption

Guaranteed
very many times
of write cycles

Fast Write Speed

◼

High Read/Write Endurance
(Guaranteed very many
times of write cycles)

◼

Fast Write Speed

◼

Low Power Consumption

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Comparison to other memory devices

◼Having advantages of both non-volatile and volatile memories
Item

FeRAM

EEPROM

Flash memory

SRAM

Memory Type

Non-volatile

Volatile

Data Backup
Battery

Yes

Guaranteed Write
Cycles

100 trillion

1 million

100 thousand

Unlimited

Write Method

Overwrite

Erase + Write

Overwrite

Write Cycle Time

120ns

5ms

10μs

55ns

Booster Circuit

Yes

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – High Read/Write Endurance

◼Merit: Guarantees 100 trillion times of read/write cycles
⚫

Reason: Enables by FeRAM cell structure with ferroelectric property

Comparison of guaranteed write cycles

100 trillion times
FeRAM

Read/write cycle times after 10 years

Data
logging …

X 100 million
1 million times
EEPROM
100 thousand times
Flash memory

Once per
1 second
Once per
0.003ms

Continues
a decade …

for 10 years

>300 million
times

for 10 years

100 trillion
times

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – Fast Write Speed

◼Merit: Write cycle time of 120ns, faster than EEPROM
⚫

Reason: Data erase operation is not needed during write operation

Memory

EEPROM

FeRAM

Write
Time

Flow in data write operation

5ms

Start write
operation

120ns

Start write
operation

Very faster
than EEPROM

Erase the area
to be written

Send data
to be written

Write data
to the area where
erasing was done

Send data
to be written

Write data
to the area where
you want

4. Features of FeRAM
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ FeRAM Feature – Low Power Consumption

◼Merit #1:
◼Merit #2:

Lower power in data writing, due to shorter write time
No backup battery, due to data retention current is not necessary
Power consumption in data writing

Power
consumption

Necessity of data retention current

Battery

000
92% less

EEPROM

FeRAM

SRAM

FeRAM

SRAM

Necessary

FeRAM

Not Necessary

Conditions: 2Mbit, 3V, SPI I/F, 2KB writing,
5MHz, 1s

5. Solutions by FeRAM to Customer Issues
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Customer Issues and Solutions

◼If you have the following concerns, consider solution by FeRAM

Customer
Concerns

Solutions
by FeRAM

Using EEPROM

Limits of specs don’t
allow frequent data
rewriting …

Writing data at sudden
power outage has risk
to lose data…

Guarantees
>100 trillion
write times

Protects data
in writingRillion
during
power outages

Using SRAM
Maintenance of
battery is costly
and takes time …

No battery
needed

5. Solutions by FeRAM to Customer Issues
Overview

Usage

History

Features

Solutions

◼ Fujitsu’s support for customers
◼ We support customers to replace with FeRAM easily
◼ Development pin & interface compatible products
SRAM is replaceable with FeRAM

EEPROM is replaceable with FeRAM
EEPROM

FeRAM

SRAM+ Backup battery
SRAM

I2C, SPI I/F
8-pin SOP

Backup
battery

Parallel I/F
44-pin TSOP

FeRAM only
FeRAM

Parallel I/F
44-pin TSOP

◼ Supports to evaluate our FeRAM device
・Simulation models (Verilog, IBIS) for software evaluation
・Providing FeRAM via online to buy a few samples

投稿 What is FeRAM?（英文）は RAMXEED に最初に表示されました。

公司簡介資料（簡體中文版）

okiweb — Thu, 19 Sep 2024 00:12:14 +0000

2025年1月，我们将公司名称从富士通半导体存储器解决方案株式会社
更改为RAMXEED株式会社。
新公司名称中蕴含了我们希望继续成为非易失性RAM专业集团的心愿，
其中也包括我们为客户提供了20多年极富价值的FeRAM。

RAMXEED表示以存储器“RAM”技术为基轴，
追求无限可能性，在共创中不断成长的公司。
“XEED”蕴含着成功的SUCCEED、超越现在的EXCEED的含义，
并且“X”还表示无限的可能性和共创。
即使更改了公司名称，我们也仍将继续注重
以高可靠性和独特性而深受客户好评的提案力。

公司简介
公司名称

RAMXEED株式会社

业务内容

存储器LSI产品及相关解决方案的设计/开发/销售

总部

邮编222-0033 神奈川县横滨市港北区新横滨三丁目9番1（新横滨TECH商务楼）TEL +81-45-777-5700

新横滨中央办公室

邮编222-0033 神奈川县横滨市港北区新横滨二丁目100番45 新横滨中央商务楼11楼 TEL +81-45-777-5700

会津事业所

邮编965-0037 福岛县会津若松市中央3丁目2-11 Gibraltar生命会津若松商务楼2楼 TEL +81-242-77-2043

沿革
1956年

作为公司前身的富士通开始开发半导体

1969年

开始开发存储器产品（双极型存储器）

1978年

领先于世界，成功实现64Kbit
随机存取存储器（RAM）的产品化

2004年

成功开发出全球最大容量的
1Mbit FeRAM
1Mbit FeRAM

64Kbit DRAM

1985年

成功开发1Mbit DRAM

1995年

着手开发FeRAM

1999年

开始量产FeRAM

累计

35
30
25

2020年

作为非易失性RAM的事业公司
成立富士通半导体存储器解决方案株式会社

2021年

成功开发出8Mbit FeRAM

2025年

将公司名称变更为RAMXEED株式会社
8Mbit FeRAM

采用实绩
·FeRAM/ReRAM在全球范围为大型企业所采用
·在面向基础设施和工业的用途方面有众多实绩

FeRAM量产20年以上

富士通半导体部门的子公司化

1Mbit DRAM

FeRAM量产实绩
45

2008年

亿个
以上

车载

全世界约有80家公司采用

工业机器全世界约有450家公司采用

20
15

仪表

全世界约有350家公司采用

助听器

全世界约有5家公司采用

10
5
0
19

全世界60多个国家200多种用途

投稿公司簡介資料（簡體中文版）は RAMXEED に最初に表示されました。

公司簡介資料（日文版）

okiweb — Sat, 21 Sep 2024 00:12:14 +0000

2025年1月、私たちは社名を富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社から
RAMXEED株式会社へ改称します。
私たちが20年以上お客様へ価値を提供してきたFeRAMを含む不揮発性RAMの
プロフェッショナル集団であり続けたいという想いを新社名に込めました。

RAMXEED (ラムシード) は、
メモリ
「RAM」の技術を基軸に、

無限の可能性を追い求め、共創しながら成長し続ける会社を表しています。
｢XEED」は成功のSUCCEED 、今を超えていくEXCEEDという意味を込め、
さらに
「X」は無限の可能性と共創を示しています。
社名が変わってもお客様から高く評価頂いている
高信頼性・ユニークな提案力にはこだわり続けていきます。

会社概要
社名

RAMXEED株式会社

事業内容

メモリLSI製品およびソリューションの設計・開発・販売

本社

〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜三丁目9番1（新横浜TECHビル）TEL 045-777-5700

新横浜中央オフィス〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目100番45 新横浜中央ビル11階 TEL 045-777-5700
〒965-0037 福島県会津若松市中央3丁目2−11 ジブラルタ生命会津若松ビル2階

会津事業所

TEL 0242-77-2043

沿革
1956年

前身の富士通で半導体の開発を開始

1969年

メモリ製品の開発を開始（バイポーラメモリ）

1978年

世界にさきがけて64Kbitの
ランダムアクセスメモリ
（RAM）の製品化に成功

2004年

世界最大容量の
1Mbit FeRAMの開発に成功
1Mbit FeRAM

2008年

富士通半導体部門の分社化

2020年

不揮発性RAMの事業会社として
富士通セミコンダクター
メモリソリューション株式会社を設立

64Kbit DRAM

1985年

1Mbit DRAMの開発に成功

2021年

8Mbit FeRAMの開発に成功

1995年

FeRAMの開発着手

2025年

RAMXEED株式会社に社名変更

1999年

FeRAMの量産開始

8Mbit FeRAM

1Mbit DRAM

FeRAM量産実績

累計

採用実績

・グローバルで大手企業がFeRAM/ReRAMを採用
・インフラ向けや産業向け用途の実績多数

FeRAMの量産品は20年以上

40
35
30
25
20

億個
以上

車載

世界中で約80社が採用

産業機器世界中で約450社が採用
メーター世界中で約350社が採用

15
10

補聴器

5
0
19

世界中で5社が採用

世界60カ国以上200種類以上の用途

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公司簡介資料（英文版）

okiweb — Fri, 20 Sep 2024 00:12:14 +0000

In January 2025, we will change our company name from Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited to RAMXEED Limited.
Our new company name reflects our desire to continue to be a professional group for non-volatile RAM, including FeRAM,
which has provided value to our customers for over 20 years.

RAMXEED [rǽmsi d] represents our company that continues to grow and
co-create in the pursuit of infinite possibilities based on Random Access
Memory (RAM) technology.
“XEED” denotes SUCCEED and EXCEED, which mean success and going beyond the
present respectively, while “X” signiﬁes inﬁnite possibilities and co-creation.
Although our company name has changed, we will continue to focus on the high
reliability and unique proposal capabilities that our customers value.

Company Overview
Company Name: RAMXEED Limited
Business Description: Design, development, and sales of memory LSI products and solutions
Head Office: Shin-Yokohama TECH Building, 3-9-1 Shin-Yokohama, Kohoku-Ku, Yokohama, Kanagawa, Japan 222-0033 (Tel: +81-45-777-5700)
Shin-Yokohama Chuo Office: Shin-Yokohama Chuo Building 11F, 2-100-45 Shin-Yokohama, Kohoku-Ku, Yokohama, Kanagawa, Japan 222-0033 (Tel: +81-45-777-5700)
Aizu Office: The Gibraltar Life Insurance Aizu-Wakamatsu Building 2F, 2-11, Chuo 3-chome, Aizu-Wakamatsu, Fukushima, Japan 965-0037 (Tel: +81-242-77-2043)

History
1956 Started semiconductor development at predecessor company Fujitsu
2004

1969 Started memory product development (bipolar memory)

1Mbit FeRAM

Successfully commercialized 64Kbit
random access memory (RAM) ahead of the rest of the world

1978

Succeeded in developing world’s
largest capacity of 1Mbit FeRAM

2008 Fujitsu’s semiconductor business unit spun off
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
2020 Limited established as non-volatile
RAM business company

64Kbit DRAM

1985 Successfully developed 1Mbit DRAM

2021 Succeeded in developing 8Mbit FeRAM

1995 Launched FeRAM development

2025 Company name changed to RAMXEED Limited

1999 Started mass production of FeRAM

8Mbit FeRAM

1Mbit DRAM

FeRAM mass production record
45

Track record of successful adoption
・Leading companies adopted FeRAM and ReRAM globally
・Extensive track record in infrastructure and industrial applications

Over 20 years, FeRAM
mass production exceeds
more than

40
35

4.4

30
25

Automotive
Used by about 80 companies worldwide

billion pieces

Industrial equipment
Used by about 450 companies worldwide

Meter
Used by about 350 companies worldwide

15
10

Hearing aid
Used by 5 companies worldwide

5
0

More than 200 different applications in over
60 countries worldwide

投稿公司簡介資料（英文版）は RAMXEED に最初に表示されました。