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FeRAM 在電動車充電樁中的應用實例

cptstaff — Tue, 14 Oct 2025 01:39:01 +0000

以精準電力記錄實現安心充電：
停電時仍能安心運作的 FeRAM 搭載 EV 充電樁

透過 FeRAM 的高速寫入與高耐寫入特性，即使在停電或瞬間電力中斷（瞬停）時，也能準確記錄充電至電動車的電力量，實現對使用者的正確計費。此外，亦可進行電壓波動、頻率變動等各種異常事件的日誌記錄（Logging），有助於問題原因的分析與追蹤。

EV 充電樁中 FeRAM 的應用案例

EV 充電樁可分為兩種類型：
從電網供電，將 AC 電力直接輸出至 EV 電池的 AC 充電樁，
以及將 AC 轉換為 DC 電力後輸出的 DC 快速充電樁。
FeRAM 可應用於這兩種系統中。

憑藉 FeRAM 的高速寫入與高耐寫入能力，即使發生停電或瞬停，
仍能準確記錄電動車實際充入的電力量，確保使用者被正確計費。
同時，記錄電壓波動、頻率變化等異常事件，亦有助於問題根源的識別與故障排除。

正在評估 EV 充電樁中的資料記錄方案嗎？
EV 充電設備需要在停電、瞬間電力中斷及電壓變動等異常狀況下，仍維持準確的電力資料保存。若您正在檢討電力計量單元或控制系統中的非揮發性記憶體選型，歡迎與我們進行技術討論。

→ 諮詢 EV 充電設備記憶體方案

區塊圖（以 DC 快充為例）

電力計量單元中使用 FeRAM 的優勢

FeRAM 具備高速寫入與高耐寫入次數的特性，因此能進行高頻率的日誌記錄（Logging）。
藉由頻繁記錄電力資料，即使發生停電或瞬停，也能確保電力資訊被完整且準確地保存。

當記錄頻率較低的情況

在下例中，將 EV 充電過程分為 9 個時段進行測量，並將資料記錄於非揮發性記憶體中。

期間發生了 3 次瞬間停電，由於記錄頻率較低，
電力輸出短暫歸零的綠色區域中，電力記錄並未正確保存。

當記錄頻率較高的情況

在下例中，記錄頻率提高至 每 100 毫秒（100ms） 一次，
將資料即時寫入非揮發性記憶體。

即使同樣發生 3 次瞬停，由於記錄頻率高，電力資料仍能被完整記錄。

以 100ms 間隔記錄時，各類非揮發性記憶體的耐用年限

FeRAM (MS85R4M2TA)	EEPROM (M95M01)	NOR FLASH (W20Q10RL)
超過 100 年	27 小時	2.7 小時

高頻率電力資料記錄需要更高耐寫入性的記憶體嗎？
當 EV 充電樁需要以毫秒級間隔持續記錄電力資訊時，記憶體的寫入耐久性將直接影響系統可靠性。FeRAM 可支援高頻率資料更新，適合需要長期穩定運作的電力監控與計量應用。

→ 了解 FeRAM 高耐寫入特性

使用 FeRAM 的優點

即使在停電或瞬間電力中斷（瞬停）時，仍能準確記錄 EV 充電電力，實現對使用者的正確計費。
可記錄電壓波動、頻率變化等異常事件，協助進行問題分析與原因追蹤。

在CPAP裝置中活用非揮發性記憶體以提升安全性與可靠性

cptstaff — Tue, 14 Oct 2025 01:38:06 +0000

本文將說明非揮發性記憶體（NVM）在 CPAP（持續正壓呼吸器，Continuous Positive Airway Pressure）裝置中的角色、種類及選擇準則，並介紹如何透過適當的記憶體設計提升系統安全性與可靠性。
內容特別針對醫療器材設計工程師，包含實際應用案例與符合醫療規範的設計要點。

CPAP 裝置中的非揮發性記憶體角色與選擇準則

CPAP 裝置是治療阻塞型睡眠呼吸中止症（OSA）不可或缺的醫療設備。
在這類裝置中，用於保存使用者設定與使用記錄的記憶體是關鍵元件之一。
非揮發性記憶體可在斷電後仍保留資料，對醫療裝置的穩定運作與使用者安全有直接關聯。
本章將從技術觀點說明 CPAP 裝置適用的記憶體種類及選擇要點。

Flash、EEPROM、MRAM、FeRAM 等技術比較

非揮發性記憶體種類多樣，各具不同特性。
常見的Flash 記憶體具備大容量與低成本的優勢，但寫入次數有限，不適合頻繁更新設定的用途。
EEPROM 容量較小，適合保存設定資料且具低功耗特性。
相對地，MRAM 與 FeRAM 兼具高速寫入與高耐久性，近年已逐漸被應用於醫療裝置中。
選擇時需平衡考量耐久度、寫入速度、功耗與成本。

正在評估醫療裝置中的非揮發性記憶體方案嗎？
不同記憶體技術在寫入耐久性、資料保存期限、功耗及可靠性方面具有不同特點。若您正在進行 CPAP 或其他醫療設備的記憶體選型，歡迎與我們討論適合您應用需求的方案。

→ 諮詢醫療裝置 NVM 選型

醫療器材對記憶體性能與規格的要求

以 CPAP 為代表的醫療裝置，對記憶體的可靠性要求極高。
必要的性能包含：

資料長期保存能力（10～20 年以上）
高寫入耐久性
寬廣的動作溫度範圍（例：-40℃～85℃）
低功耗
以及電源中斷時的資料保持能力

對應使用環境的耐久性與資料保存期限的重要性

CPAP 雖以家庭使用為主，但需在長期使用下維持穩定運作。
若記憶體保存期限不足，設定資料可能消失，造成錯誤治療壓力輸出。
同時，頻繁寫入也會加速記憶體耗損。
以每日使用的 CPAP 為例，因日誌記錄頻繁，需選用可承受數十萬次以上寫入的高耐久性記憶體，
如 MRAM 或 FRAM（強鐵電體記憶體，FeRAM），確保裝置壽命與資料安全。

提升安全性的記憶體應用設計

非揮發性記憶體的應用直接影響 CPAP 裝置的安全性。
設定保持與資料保存功能對治療精度至關重要。此外，在異常發生時的故障分析與錯誤日誌保存中，NVM 亦不可或缺。本章將說明強化安全性的記憶體設計思維。

電源中斷與異常狀況下的設定保持機制

CPAP 在夜間使用時可能突發斷電，因此必須確保重新啟動後能維持相同的治療設定。
壓力值、模式、使用者設定檔等資料需在電源中斷時仍能保存。
為達此目的，需具備即時且安全的寫入機制。採用低電壓即可完成寫入的 MRAM 或 FRAM，
可有效避免突發關機造成的資料遺失。

需要提升醫療設備的資料保存可靠性嗎？
在醫療裝置中，電源異常、瞬間斷電及頻繁資料更新都可能影響系統安全。透過高耐久性非揮發性記憶體，可協助設計更可靠的資料保存機制。

→ 洽詢高可靠性記憶體技術

故障分析與警示紀錄的應用

作為醫療器材，CPAP 一旦發生異常，需能追蹤原因。
若能將錯誤代碼、感測器異常、電源變動等資訊記錄於非揮發性記憶體中，維修人員即可透過日誌分析快速找出原因並防止再發。
若裝置具遠端監控功能，則可結合雲端傳輸機制，即時提升患者安全性。

防止誤設定與資料竄改的資料保護設計

除了可靠性外，資料安全性亦是關鍵。若 CPAP 裝置設定被誤改或遭未授權更動，可能導致嚴重治療問題。因此需採用寫入保護、設定鎖定、冗餘記錄結構等設計，防止非預期資料改變。
醫療器材特別需在硬體與軟體兩層面同時實施保護。

支撐可靠性的資料記錄與保存策略

CPAP 已從單純的送風機進化為可進行資料分析的智慧醫療設備。
非揮發性記憶體是支撐此進化的核心技術之一，可靠的資料記錄與保存機制不可或缺。
本章將介紹如何透過適當的記憶體設計保障裝置信賴性。

使用歷程與呼吸事件的日誌記錄

多數 CPAP 會記錄每日使用時間、呼吸次數、無呼吸事件、面罩漏氣量等資訊，
供醫師進行治療評估。透過非揮發性記憶體保存，能進行長期趨勢分析與設定最佳化。
可選擇具大容量的 NOR/NAND Flash，或具高寫入耐久性的 MRAM、FRAM。
應依患者使用模式設計最適化記錄方案。

協助異常排除（Troubleshooting）的應用

若裝置在異常發生時未記錄必要資料，將難以進行診斷。
自動於錯誤發生時記錄資訊至非揮發性記憶體，可讓售後支援更迅速有效。
即時記錄溫度異常、壓力感測異常、通訊錯誤等資訊，能將醫療現場的停機時間降至最低，
同時降低維修成本並提升患者滿意度。

符合醫療器材規範的記憶體實裝重點

醫療器材需符合 IEC 60601-1、ISO 13485 等嚴格標準。在 NVM 實裝上，亦須滿足 EMC 抗干擾性、耐震性、長期穩定性等要求。為確保資料完整性，應採用 ECC（錯誤修正碼）、冗餘保存與定期單元檢查設計。同時，元件亦須符合 RoHS、REACH 等環境規範。

總結

非揮發性記憶體是支撐 CPAP 裝置「安全性」與「可靠性」的關鍵要素。
適當的記憶體選擇與實裝設計，直接關聯治療連續性與患者安心。

記憶體技術在 CPAP 裝置高度化中的定位

CPAP 已不再只是單純的壓力供應裝置，而是提供個別化治療的智慧醫療系統。
非揮發性記憶體不再只是資料儲存媒介，而是確保醫療資料精確與安全的核心技術。
隨著裝置功能進化，記憶體的性能要求亦持續提升。

設計者應重視的選型與評估觀點

在選擇記憶體時，設計者應從耐久性、寫入次數、保存期限、功耗、成本與規範適合度等多角度評估。
於設計初期即進行記憶體方案檢討，可降低後期失效風險。
耐久試驗、斷電測試、錯誤注入評估等也是確保可靠性的必要程序。

未來展望與非揮發性記憶體技術的貢獻

未來具備 AI 處理 與 通訊功能 的 CPAP 將更普及，對資料容量與反應速度的要求亦將提升。
預期低功耗、高耐久的次世代 NVM（如 MRAM、FRAM）將廣泛導入，促進裝置更小型化、省電化與高可靠化，讓更多患者能享有更安心的治療體驗。

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RAMXEED FeRAM 具備高速寫入、高耐久性及非揮發性資料保存特性，可協助醫療裝置實現更高可靠性的資料管理。
若您正在評估產品規格、樣品導入或應用方式，歡迎與我們聯繫。

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