選擇FeRAM的理由

1.高讀寫耐久性

FeRAM 可保證最多進行10¹⁴次寫入。此數值意味著，即使以每秒寫入100次的頻率計算，也具備超過3000年以上的耐久性。除部分需要超高頻率寫入的應用情境外，實際上幾乎可視為具備無限的寫入壽命。

寫入次數上限比較

無需損耗平均（Wear Leveling）

當超過EEPROM或Flash的寫入耐久上限時，通常需採用損耗平均策略（*）。
*損耗平均是一種將資料寫入操作分散至多個儲存單元以延長壽命的方法。

問題

• 損耗平均會將資料寫入分散至多個記憶單元中。
• 導致檢測作業量增加。
• 系統漏洞增加，提升市場風險。

透過FeRAM解決

• 軟體結構更精簡，避免損耗平均的缺點。
• 開發作業量減少。
• 可降低市場缺陷（Bug），提升客戶滿意度。

可高頻率記錄日誌

具備高讀寫耐久性，可高頻率收集高精度資料。透過掌握複雜的資料曲線，可洞察真實數據趨勢。

問題

• 若需使用 10 年，EEPROM 每小時最多可寫入11次，每日僅約270次。
• 可能無法取得所需資料。
• 為維持高頻率寫入，需導入損耗平均機制，導致軟體複雜化。

FeRAM的解決方案

• FeRAM可實現每秒最多30萬次寫入（每日超過20億次）。
• 可詳細記錄資料變化，掌握真實數據。

2.高速寫入

FeRAM 的每次寫入操作約為120奈秒，速度超過EEPROM的4萬倍以上。

於停電或瞬斷時亦可保存資料

當超過EEPROM或Flash的寫入耐久上限時，通常需要採取損耗平均策略（*）。
*損耗平均是一種將資料寫入操作分散至多個記憶單元以延長壽命的方法。

問題

• 若寫入操作需耗時數毫秒，則在寫入或抹除過程中若發生斷電，可能導致資料遺失。

FeRAM的解決方案

• 寫入時間僅為120奈秒，可在斷電前即完成資料寫入。
• 確保資料完整記錄。

透過減少周邊元件以降低成本（降低BOM成本）

問題

• 在瞬斷前記錄資料時，需使用超級電容或電池。
• 雖然單體記憶體價格低，但因需增加附加元件，導致整體BOM成本上升。

FeRAM 的解決方案

• 無需使用超級電容或電池。
• 可有效降低整體BOM成本。