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產品技術延伸 Tech Column
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2026.1.20

揮發性 vs 非揮發性記憶體:SRAM、DRAM、FeRAM、MRAM 差異比較與選型指南

本文將深入說明 揮發性記憶體與非揮發性記憶體的差異,並以設計工程師的角度,解析各類記憶體的特性與選擇重點。

內容涵蓋 SRAM、DRAM、FRAM(FeRAM)與 MRAM 的優缺點比較,以及最新的技術發展趨勢,協助工程師在系統設計階段做出最合適的記憶體選擇。

什麼是揮發性記憶體?原理與特性解析

揮發性記憶體的基本結構與運作原理

揮發性記憶體(Volatile Memory) 是指僅在電源供應期間能夠保存資料,一旦電源中斷,資料即會消失的記憶體。
此類記憶體主要基於半導體技術,具備高速讀寫的特性。

揮發性記憶體多屬於 RAM(Random Access Memory) 的一種,與 CPU 緊密協作,作為系統的主要工作記憶體使用。
在需要頻繁存取資料的運算場景中,揮發性記憶體扮演不可或缺的角色。

代表性的揮發性記憶體種類:SRAM 與 DRAM

在揮發性記憶體中,最具代表性的為 SRAM(Static RAM)DRAM(Dynamic RAM)
理解 DRAM與SRAM 的差異,是記憶體選型的基礎。

  • SRAM
    採用觸發器(Flip-Flop)電路,可實現高速且穩定的資料存取,非常適合用於 CPU Cache。
    但其缺點是 成本高、晶片面積大,且功耗相對較高
  • DRAM
    利用電容儲存資料,能夠實現 高密度與低成本,因此廣泛用作主記憶體。
    然而 DRAM 需要定期進行 Refresh(重新整理),以避免資料流失。

這也是 DRAM 與 SRAM 在結構與用途上的核心差異

揮發性記憶體的優點與限制

揮發性記憶體最大的優點,在於其極高速的資料存取能力
在 CPU 與記憶體之間需要頻繁交換資料的應用中,揮發性記憶體能顯著提升系統效能。

然而,其主要缺點是 斷電即失去資料,因此不適合用於長期資料保存。
此外,特別是 DRAM,為了維持資料內容,必須持續進行 Refresh 動作,這也會導致 功耗增加

什麼是非揮發性記憶體?應用場景與技術演進

非揮發性記憶體的基本原理

非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory) 即使在電源中斷後,仍能保持資料內容。
代表性技術包括 Flash Memory、FRAM(FeRAM,鐵電 RAM)與 MRAM(磁阻 RAM)

此類記憶體被廣泛應用於 儲存裝置、嵌入式系統、工業設備與車用電子 等領域。

主要非揮發性記憶體的種類(Flash・FRAM・MRAM)

Flash Memory
最普及的非揮發性記憶體,常見於 SSD、USB 與儲存卡中。

FRAM(FeRAM)
具備 低功耗、高速寫入與高耐久性,非常適合嵌入式與工業應用。

MRAM
利用磁性狀態保存資料,實現高速存取與極高耐久性,被視為次世代記憶體技術的重要候選。

非揮發性記憶體的優點與挑戰

非揮發性記憶體最大的優勢,在於 斷電後仍能保存資料
此外,像 FRAM 與 MRAM 這類新型非揮發性記憶體,具備極高的寫入耐久性,適合頻繁更新資料的應用。

但相較於揮發性記憶體,其缺點包括 寫入速度較慢、成本較高,因此在系統設計時,需根據用途進行取捨。

設計工程師必須掌握的記憶體選型重點

存取速度 vs. 資料保存性:依應用需求進行選擇

在記憶體選型時,存取速度與資料保存性之間的平衡是最重要的考量因素之一。
例如,在即時性要求極高的系統中(如即時控制、訊號處理),高速的揮發性記憶體──特別是 SRAM 或 DRAM──通常是最合適的選擇。

相對地,若系統需要在斷電後仍能長期保存資料,則 非揮發性記憶體 會更具優勢。
因此,清楚理解 DRAM 與 SRAM 的差異,以及揮發性與非揮發性記憶體在「速度與保存性」上的取捨,是設計工程師進行架構設計時的基本功。

功耗、成本與耐久性的比較

功耗 是行動裝置與電池供電的嵌入式系統中,特別需要重視的指標。
例如,DRAM 雖然具備良好的存取效能,但由於需要定期 Refresh,其功耗相對較高。

相較之下,FRAM(FeRAM) 具備 低功耗與極高寫入耐久性,非常適合需要頻繁寫入資料的嵌入式應用。
在成本方面,SRAM 的單位成本最高,而 Flash Memory 則因適合大規模量產,在價格上具有優勢。

因此,在實際設計中,工程師需要在 效能、功耗、成本與耐久性 之間,依據產品定位做出最合理的取捨。

最新記憶體技術趨勢與未來展望

近年來,記憶體技術持續快速演進,例如:

  • 3D NAND Flash 的高密度化
  • Spin-Transfer Torque(STT)MRAM 的實用化
  • 作為次世代 FeRAM 技術的 HZO FeRAM(Hafnium-Zirconium Oxide)

這些創新技術正推動 高密度、高速的非揮發性記憶體 逐步走向實用階段。
特別是在 AI 與 IoT 應用領域中,市場對於 低功耗且高耐久性記憶體 的需求正持續升高。

總結

揮發性記憶體與非揮發性記憶體的重點整理

揮發性記憶體 的優勢在於高速存取,但在斷電後資料即會消失;
非揮發性記憶體 則能保存資料,但在寫入速度方面通常不及揮發性記憶體。

設計工程師必須充分理解這些基本特性,才能根據系統需求做出正確的記憶體選擇。

記憶體選型檢查清單(Checklist)

  • 是否優先考量 存取速度?
  • 是否需要 長期資料保存?
  • 功耗與成本 的平衡是否符合產品需求?
  • 使用環境(溫度條件、寫入耐久性)是否在容許範圍內?

未來技術演進對設計工程師的影響

記憶體技術仍在持續演進,特別是 次世代非揮發性記憶體,未來有可能成為主流選項。設計工程師需要隨時掌握最新的技術趨勢,並根據應用場景,靈活選擇 揮發性記憶體與非揮發性記憶體,以實現最佳的系統設計。