FAQ
常見問題

請明確填寫產品的完整型號，並透過聯絡表單與我們聯繫。

請明確填寫產品的完整型號，並透過聯絡表單與我們聯繫。

可透過 IC 上的標識進行確認。詳細資訊請參閱資料表中的「標識圖」。

建議在電源（VDD）與接地（GND）之間連接約0.1μF 的旁路電容器。

NC（No Connect）腳位在封裝內部未與矽晶片相連，因此可懸空（開路），亦可連接至VDD或VSS。
但若資料手冊中有相關說明，請優先依照其規定執行。

背面的PAD可懸空（開放）處理，或連接至VSS。請注意，不得連接至除VSS以外的電位。

FeRAM 是「Ferroelectric Random Access Memory」（鐵電隨機存取記憶體）的縮寫，是一種利用鐵電材料來儲存資料的非揮發性記憶體。它結合了 ROM 與 RAM 的特性，具備高速寫入、高寫入耐久性（可多次重複寫入保證）以及低功耗等特點。有關 FeRAM 的詳細說明，請參閱「選擇 FeRAM 的理由」頁面。

本公司自 1999 年起即開始供應量產 FeRAM，擁有豐富的量產實績。自量產以來，客戶一直持續採用本公司的產品。詳細資訊請參閱「應用」頁面。

使用 FeRAM 並不困難。序列介面產品可如同現有的序列 EEPROM 或序列快閃記憶體般使用。此外，平行介面產品則可像具備非同步介面的 SRAM 一樣使用。

FeRAM 主要用於需要頻繁寫入資料的應用場景。例如：辦公設備（多功能事務機〔MFP〕的計數器、列印記錄）、工廠自動化設備（量測儀器與分析儀器的參數及資料日誌）、金融終端（交易記錄）、基礎設施的量測設備（電錶）、車載導航與音響設備（斷電前的復原資料）。此外，FeRAM 也被廣泛應用於其他領域。詳細資訊請參閱「應用」頁面。

是的，FeRAM、FRAM 與 F-RAM 都是指鐵電隨機存取記憶體。

您可以透過產品頁面上的樣品網路銷售連結、銷售據點或聯絡表單取得樣品。

有的，您可透過以下連結下載相關資料：
產品型錄
資料表
白皮書

可以的，您可透過本公司的業務部門或聯絡表單與我們安排詳細的說明會。

是的，市場上還有其他供應商。

啟動後，WEL 位元的值會立即為「0」。此外，執行某些指令後，WEL 位元也可能變為「0」，而非僅在啟動時發生。不同產品之間可能有所差異，請參閱各產品的資料手冊。

從睡眠模式等狀態恢復時，/CS 變為 L 後，無法立即輸入指令。必須先將 /CS 設為 H，再次將 /CS 設為 L 之後，才能輸入指令。

若輸入的時脈超過第9個時脈週期，該指令將被取消，且在 /CS = H 之前，輸入將被禁止。

這是為了防止時脈偏移所必需的。

除部分產品外，/HOLD端子內部未內建上拉電阻（請參閱資料手冊）。
對於未內建上拉電阻的產品，若未從外部輸入信號，輸入狀態將不確定，可能導致裝置無法正常運作。
若未使用HOLD功能，請確保將/HOLD端子固定於高電位（VDD）。

裝置將停止運作。請勿將/HOLD端子直接連接至GND端子。

/WP端子未內建上拉或下拉電阻。若/WP 未連接任何信號，輸入狀態可能不確定，可能導致寫入失敗，因此請務必將其連接至VDD。

當/WP連接至GND時，若狀態暫存器中的WPEN位元為「1」，則不會接受WRSR指令，且在/WP維持高電位（H）之前，無法重寫狀態暫存器。
在此情況下，請勿將/WP端子連接至GND，因為根據資料區塊保護設定，資料可能無法被重寫。

/WP端子與狀態暫存器中的WPEN位元結合，可設定狀態暫存器的寫入保護。若要對資料區域執行寫入保護，請在狀態暫存器中設定資料區塊保護位元（BP0、BP1）。透過設定區塊保護，並搭配WPEN與／或 /WP訊號啟用狀態暫存器的寫入保護，區塊保護設定也將受到保護。詳細內容請參閱各產品的資料手冊。

無法進行SPI通訊。請務必由外部進行控制。

FeRAM可即時完成寫入，因此每次都能連續輸入資料。無論寫入的資料量多少，皆無需等待時間。請遵守資料手冊中的時序規範。

無需執行顯式的切換操作。裝置會自動判斷/CS與SCK的狀態。

狀態暫存器的初始值不予保證。請務必在使用前透過 WRSR 指令進行設定。

/WP 端子與/HOLD端子可直接連接至VDD，無需外接電阻。

僅支援 SPI 模式 0 與模式 3，不支援模式 1 與模式 2。

不足 8 位元的資料將被捨棄，不會寫入至 FeRAM。

請遵循與資料輸入相同的 tr（上升時間）／tf（下降時間）規範。

出廠初始值會因產品而異，本公司不保證FeRAM的初始值。若需設定初始值，請由客戶自行執行寫入操作。

當FeRAM裝置未釋放SDA匯流排時，請使用軟體重置功能。

不具備時脈延展功能。

啟動後，記憶體位址緩衝區的值為不確定。
請務必在執行Random Read或Write操作之後，再執行Current Address Read。若在此狀態下直接執行 Current Address Read，可能會讀取到非預期的資料。

「標準模式／高速模式／高速模式+」是基於 I²C 通訊標準，分別對應 100 kHz／400 kHz／1 MHz 的運作頻率。
無需透過外部控制即可切換，支援此功能的裝置可在任意頻率下運作。
但在使用高速模式（High-Speed Mode）前，需先透過專用指令切換模式。詳細內容請參閱資料手冊。

請依下列公式設定上拉電阻 Rp 的值：

最大值： Rp(max) ＝ tr ／ (0.8473 × Cb)
  tr：上升時間（請參閱資料手冊）
  Cb：匯流排電容

最小值： Rp(min) ＝ (VDD − VOL(max)) ／ IOL
  VDD：電源電壓
  VOL(max)：輸出為低電位時的最大電壓（請參閱資料手冊）
  IOL：輸出電流

與寫入資料中“0”或“1”的數量無關。

超出保證重寫次數的區域，其數值將不再被保證；若讀取的值不正確，該值不會固定為0或1，可能同時出現0與1。

即使超過保證重寫次數，設備也不會立即停止運作，但無法保證寫入的數值。

並非無限制。寫入與讀取的總次數皆計入寫入次數的保證範圍內。

因為 FeRAM 在讀取資料時，會自動重新寫入已讀取的資料，因此讀取動作也會被計入寫入次數。

不是。寫入次數並非針對晶片整體的總次數。產品的保固範圍會因型號而異，詳細資訊請參閱各產品的規格書。

資料保持時間取決於客戶的使用溫度。例如，若規格書上標示「10年（+85℃）」的產品，表示在 85℃ 的條件下可保證資料保存10年。若使用環境的溫度為 25℃ 或 60℃ 等低於 85℃ 的情況下，理論上資料保持時間將會超過10年。
詳細資訊請參閱各產品的規格書。

請嚴格遵守電源電壓的上升／下降時間規格（tr／tf／tpu／tpd）。
此外，請避免在電源電壓上升或下降過程中出現電壓波動，或長時間停留於某一平坦電位的情況。
應確保與電源電壓同步變化的訊號電壓亦能正確跟隨變化。
詳細內容請參閱各產品的資料手冊。

FeRAM 產品目錄＞

FeRAM 使用鐵電材料作為儲存介質。雖然物質本身可能會受到外部磁場的微弱影響，但受影響較大的主要是 Fe、Co、Ni、Cr 等具強磁性或反磁性的材料。由於 FeRAM 並未使用這些材料，因此原則上不會受到外部磁場的影響。

在「產品列表」頁面上可提供各產品的 Verilog 模型與 IBIS 模型，您可透過聯絡表單提出申請。

FeRAM 與其他記憶體相同，具備通用介面（平行、SPI、I²C），可與一般控制器或微控制器相容使用。

以 FeRAM 與 EEPROM 的 SPI 介面為例，當比較 256 位元組資料的寫入功耗時，FeRAM 的功耗僅約為 EEPROM 的三十分之一。

FeRAM 符合 RoHS 指令。詳細資訊請參閱「環境合規」頁面，該頁面介紹了對歐盟 RoHS 及中國 RoHS 的符合情況。

有關 REACH 的詳細資訊，請參閱「環境合規」頁面。

有關衝突礦物的詳細資訊，請參閱「環境合規」頁面。

不會。FeRAM 符合 RoHS 指令，鉛（Pb）含量低於 1000ppm，因此不違反相關規定。

如有需求，請透過本公司之業務部門或聯絡表單與我們聯繫。

平行式 FeRAM 配備非同步 SRAM 介面，可作為 SRAM 的替代方案。實際上，部分客戶為了取消資料保存所需的電池，已採用 FeRAM 作為替代方案。詳細資訊請透過本公司的業務部門或聯絡表單與我們聯繫。

有關價格的詳細資訊，請透過本公司的代理商或業務部門，或透過聯絡表單與我們聯繫。

可以的。FeRAM 的 8 腳封裝與 EEPROM 的封裝相容，因此無需更改電路板上的佈線與接腳即可直接替換使用。

FeRAM 的寫入次數高達 10¹³ 次，無需進行損耗平均（Wear Leveling）。根據客戶的使用情境，在某些情況下可使用 FeRAM 取代快閃記憶體。

舉例來說，FeRAM 的寫入速度約為 150ns，而 EEPROM 為 10ms，快閃記憶體則為 10μs。與 EEPROM 相比，FeRAM 的寫入速度約快 7 萬倍。其原因在於，EEPROM 與快閃記憶體在寫入前需要執行位元組抹除或區塊抹除等耗時動作，而 FeRAM 無需任何抹除程序，能像 SRAM 一樣直接覆寫資料，因此寫入速度更快。

本公司將具備 I2C 及 SPI 介面的記憶體稱為「序列記憶體」。序列匯流排是一種以連續 1 位元（bit）的方式進行資料輸入與輸出的通訊方式。I2C介面透過兩條訊號線進行控制——用於傳輸位址與資料的 SDA，以及用於控制時脈的 SCL。另一方面，SPI 介面則透過四條訊號線進行控制——用於時脈的 SCK、位址與資料輸入的 SI、資料輸出的 SO，以及晶片選擇的 CS。

MRAM 是一種寫入速度極快的記憶體，但由於其寫入功耗較高，容易產生熱量，且容易受到磁場影響，因此在工業應用中需謹慎使用。NVRAM 為了在斷電時確保資料不遺失，需額外搭配外部電容等元件，因此其 BOM 成本高於 FeRAM。

ReRAM（阻變式隨機存取記憶體），又稱為電阻變化型記憶體，是一種透過電極間金屬氧化物薄膜之電阻值變化來儲存資料的非揮發性記憶體。當在金屬氧化物薄膜上施加電壓時，其電阻狀態會改變，藉由高電阻與低電阻兩種狀態來記錄「0」與「1」的資料。ReRAM 的讀出電流為業界中最低，並具備無限制的讀出耐久性，特別適用於以資料讀取為主要操作的應用場景。

由於其讀出電流低至 0.2mA，ReRAM 特別適合需要頻繁讀取資料的應用場景。
例如，在助聽器等裝置中，可根據使用情況調整音量，並頻繁讀取儲存在記憶體中的調節程式。

ReRAM 配備與 EEPROM 相同的 SPI 介面，依循 SPI 通訊標準即可進行編程，使用非常簡單。

請透過代理商列表或聯絡表單取得相關資訊。

本產品的製造委託給 新唐科技日本公司（NuvoTon Technology Japan），該公司擁有超過 5 年的 ReRAM 試產及搭載 ReRAM 微控制器之量產經驗。

RFID 是「Radio Frequency IDentification（無線射頻識別）」的縮寫，
指的是一種透過無線通訊方式，對記錄在人員或物品上的個體資訊進行讀取與寫入的自動識別系統。

符合 EPCglobal C1 G2 標準。

使用頻段為 UHF（860MHz～960MHz）。

本系統已取得多項海外認證（CE、FCC、ISDE）。
只要使用符合各國無線電法規定的頻段，即可於日本以外地區使用。

電子紙是一種具有與紙張相同薄度與可視性的顯示媒介，其顯示內容可被重寫。與液晶等顯示器不同，電子紙無需使用背光即可呈現畫面。一般情況下，僅在重寫顯示內容時需要供電；在維持顯示狀態時則無需供電，因此其特點是功耗極低。

電子紙標籤的可重寫次數為100萬次。

防護等級為IP54。

在以往使用紙本標籤的情境中，通常需進行貼附、剝離、清潔與廢棄等多道工序。導入電子紙標籤後，可實現內容的自動重寫與重複使用，從而有效降低人力成本。
此外，亦能為無紙化、減碳、碳中和、永續發展目標（SDGs）、資訊化及數位轉型（DX）等目標作出貢獻。

本系統內建8kByte 的FeRAM記憶體。
其中約一半（4kByte）用於電子紙影像的重寫，其餘的一半（4kByte）可作為使用者記憶區自由使用。
不需顯示或不希望顯示的資料，可儲存在使用者記憶區中。

螢幕尺寸為2.9吋，解析度為296 × 128畫素。

如需更多資訊，請透過「聯絡我們」頁面進行洽詢。

透過UHF頻段的無線電波（RFID 無線通訊）進行無線供電，同時也能為外部裝置（如電子紙）提供電力，因此可實現免電池驅動。
使用本公司之LSI（MB97R8110）即可達成此功能。

若透過SPI介面連接低功耗裝置，則可實現感測器連接。具體的應用方式可能因情境而異，詳細資訊請透過「聯絡我們」頁面洽詢。

此功能可利用讀寫器（R/W）所發出的無線訊號與無線供電，偵測連接至 LSI 前端的多個開關之開／關狀態。詳細資訊請透過「聯絡我們」頁面洽詢。

如需更多資訊，請透過「聯絡我們」頁面進行洽詢。

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