選擇內建FeRAM的RFID晶片的理由
本公司長期專注於研發與生產用於RFID標籤的LSI產品，主要涵蓋13.56 MHz的HF頻段。其核心優勢在於內建鐵電隨機存取記憶體（FeRAM），憑藉其卓越的高速寫入性能與高重寫耐久性，使我們的LSI產品成為大容量資料載體型RFID應用的理想選擇，廣泛應用於國內外的工廠自動化（FA）系統、醫療健康領域等。
此外，我們亦拓展產品線，成功研發並量產支援860 MHz至960 MHz的超高頻（UHF）產品，進一步豐富了產品陣容。
詳細內容請參考以下說明。
選擇內建FeRAM的RFID的6大理由
1.高速資料處理
FeRAM具有高速資料寫入能力以及出色的資料保存能力，能夠顯著提高資料處理速度。在工廠自動化過程中，準確且有效率的操作是提高生產效率的重要因素。
課題
為了在FA生產製造過程中實現高吞吐量，必須確保生產過程中記錄的資料能夠高速寫入RFID標籤的記憶體。 傳統使用EEPROM的RFID標籤，由於寫入速度較慢，無法滿足高吞吐量產線的需求。
FeRAM的解決方案
相較於其他非揮發性記憶體（如EEPROM），FeRAM具有極高的寫入速度，能大幅縮短寫入時間，並適用於高吞吐量的自動化生產線。
2.大容量資料儲存
內建FeRAM的RFID LSI憑藉高速寫入能力，實現了8 KB的大容量記憶體配置。 此類資料載體型RFID LSI專為工廠自動化設計，能同時滿足大容量與高速寫入的應用需求。
課題
在FA生產過程中，須即時更新與保存大量資料，如產品資訊、設定參數、製程記錄及檢驗資料等。 內建EEPROM的RFID標籤因寫入速度慢，無法支援此類即時大量資料更新應用。
FeRAM的解決方案
FeRAM相較於其他非揮發性記憶體（如EEPROM等）具有極高速的寫入速度。 因此，可實現具備大容量記憶體的RFID標籤，能即時且精準地記錄資料。
3.穩定的通訊距離
由於FeRAM具備低功耗特性，其寫入（Write）通訊距離可與讀取（Read）距離相同。 而傳統採用EEPROM的RFID，其寫入距離約為讀取距離的一半。 憑藉低功耗與高資料保存能力，FeRAM能在無線環境或通訊不穩的情況下，仍確保重要資料的安全保存。
4.高重寫耐久性
FeRAM擁有極高的重寫次數，能在頻繁資料更新的FA環境中展現卓越耐用性。 可長期穩定運行，減少維護成本與停機時間，進一步提升生產效率與可靠性。
課題
在FA製造過程中，RFID標籤的重寫耐久性至關重要。 傳統EEPROM約有10萬次的重寫壽命，難以滿足高速且頻繁更新的應用需求。 FeRAM則具備極高耐久性，可確保標籤長期穩定使用。
FeRAM的解決方案
具有高重寫耐久性的FeRAM可確保標籤的長期使用。 FeRAM（鐵電隨機存取記憶體）憑藉其優異的重寫耐久特性，能在標籤的保固期間內維持穩定的性能。 此特性使企業能夠實現長期且可靠的資料儲存，並減少維護與更換的頻率。
＊條件：每分鐘於同一位址寫入RFID資料
5.實現無電池化
FeRAM擁有極低功耗的寫入特性，因此非常適用於無電池設備。 將驅動外部裝置的電路整合至RFID LSI後，可實現多種無電源、無線應用。 此設計不僅可減少電池更換與維護作業，亦可大幅降低成本，提升生產效率與產品競爭力。
6.高輻射耐受性
FeRAM具有優異的抗輻射能力，即使在伽瑪射線照射或電子束滅菌環境中，也能穩定保存資料。 因此，內建FeRAM的RFID特別適用於醫療與製藥產業，能有效提升管理效率與產品追溯性。 透過此特性，RFID標籤可在產品從製造到廢棄的整個流程中，提供完整的追蹤與品質管理，進一步確保安全與信賴。
