本公司RAMXEED的旋轉編碼器專用FeRAM（MB85RDP16LX）內建計數器與FeRAM。 在應用於計算馬達轉速的旋轉編碼器時，可充分發揮FeRAM本身高速啟動、高速寫入、低功耗等特性。 透過線圈感應電動勢所產生的微弱電流，即可完成FeRAM記憶體資料的運算與寫入。 即使在無電源狀態下，也能持續進行馬達轉速的計算。
選擇旋轉編碼器
專用FeRAM的理由
選擇旋轉編碼器專用FeRAM的五大理由：
1.高速啟動
FeRAM不像EEPROM需要等待寫入時間，且具備高重寫次數。 因此，能在記憶體內（即FeRAM內部）直接進行資料的運算與處理，啟動迅速且穩定。
2.高速寫入・高重寫耐久性
FeRAM同樣不需要寫入等待時間，並擁有極高的重寫次數。 本產品 MB85RDP16LX 內部嵌入計數運算電路，無需從記憶體外部讀取既有資料， 即可在內部完成資料的計數運算處理，並將運算後的結果覆寫保存。
3.低功耗
FeRAM在進行資料寫入時，不需設計升壓電路。 因此寫入時間短，所需功耗（能量）遠低於其他非揮發性記憶體。 可利用環境發電等微弱電流運作，即使在電池驅動系統中也能長時間穩定運行。
4.耐磁場性
與FeRAM相同具備高速寫入能力的非揮發性記憶體尚有MRAM， 但MRAM是以磁化方向來記錄0與1，對磁場極為敏感， 因此在磁場環境中需使用磁場屏蔽以避免資料錯誤。 特別是在馬達周圍使用磁鐵的應用環境中，不建議使用MRAM。 FeRAM由於其記憶單元結構對磁場與電場皆具有優異的耐受性， 並對「軟錯誤」具強抗性，因此亦可應用於太空領域。
5.無需電池
FeRAM為非揮發性記憶體，無需電池即可保存資料。 非常適合用來取代電池備援SRAM（BB-SRAM）這類相似規格與用途的產品。 採用FeRAM替換BB-SRAM可移除系統中的電池， 有效降低維護成本，同時對環境更友善。
FeRAM是旋轉編碼器非揮發性記憶體的最佳選擇
基於以上1～5項理由，專為旋轉編碼器開發的 FeRAM MB85RDP16LX， 即使在旋轉編碼器內部由磁鐵與線圈所產生的僅20～30微秒的極短供電時間內， 也能即刻啟動並運作，於記憶體內進行資料的計算處理， 在完成資料寫入後即可安全關機。
問題
由於線圈感應電動勢產生電流的時間極為短暫（僅20～30微秒）， 一般的非揮發性記憶體無法在此時間內完成寫入動作。
FeRAM的解決方案
本FeRAM產品（MB85RDP16LX）即使僅提供20～30微秒脈衝式電源， 仍能正確讀取先前資料，完成計數運算後更新並保存資料， 隨時可安全關機，不造成資料遺失。
