FeRAM

FeRAM（FRAM，鐵電記憶體）的基本運作原理，以及高速寫入、高耐久寫入次數與低功耗等優異特性的形成機制，將在此進行詳細解說。此外，我們也將介紹支撐這些特性的 PZT 鐵電薄膜沉積技術，以及 HZO（氧化鉿鋯）相關研究開發等製造技術背後的創新成果。
RAMXEED 的 FeRAM 產品請見此處。