topへ

お知らせ

お知らせ

お知らせ

当社からのご注意

当社製品の模倣品に対するご注意

安全上のご注意

製品の取扱状のご注意

2024.8.20

プレスリリース

社名変更のお知らせ

2023.8.7

プレスリリース

125℃動作, I2Cインターフェースの512KビットFeRAMを開発

2022.3.15

プレスリリース

ReRAM（抵抗変化型メモリ）では最大メモリ容量となる12Mビット品を開発

2022.1.18

プレスリリース

54Mバイト/秒のデータ書換えが可能な8MビットQuad SPI FeRAMを開発

2021.11.17

プレスリリース

100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発

2021.7.6

プレスリリース

車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始

2020.7.16

プレスリリース

EEPROMの高性能互換となる不揮発性メモリ、4MビットシリアルFeRAMを開発

2020.4.14

プレスリリース

125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発

2019.10.8

プレスリリース

125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発

2016.3.4

プレスリリース

54Mバイト/秒のデータ転送が可能な4Mビット Quad SPI FeRAMを提供中