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ニュース
2024.8.20
プレスリリース
社名変更のお知らせ
2023.8.7
プレスリリース
125℃動作、I2Cインターフェースの512KビットFeRAMを開発
2022.3.15
プレスリリース
ReRAM(抵抗変化型メモリ)では最大メモリ容量となる12Mビット品を開発
2022.1.18
プレスリリース
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能な8MビットQuad SPI FeRAMを開発
2021.11.17
プレスリリース
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発
2021.7.6
プレスリリース
車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始
2020.7.16
プレスリリース
EEPROMの高性能互換となる不揮発性メモリ、4Mビット シリアルFeRAMを開発
2020.4.14
プレスリリース
125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発
2019.10.8
プレスリリース
125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
2016.3.4
プレスリリース
54Mバイト/秒のデータ転送が可能な4Mビット Quad SPI FeRAMを提供中
社名変更のお知らせ
2025年1月より、富士通セミコンダクターメモリソリューションからRAMXEEDに社名を改称します。
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